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WS 2012 - Institut für Elektronik

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<strong>Institut</strong> <strong>für</strong> <strong>Elektronik</strong><br />

EST 1<br />

Allgemeines<br />

Arbeitspunktwahl<br />

AP-Einstellung<br />

V-Gegenkopplung<br />

I-Gegenkopplung<br />

Dimensionierung<br />

Grundschaltungen<br />

Emitterschaltung<br />

Basisschaltung<br />

Kollektorschaltung<br />

Grundschaltungen<br />

Eingangswiderstand der Emitterschaltung<br />

Der Eingangswiderstand der Emitterschaltung ist die Summe<br />

aus dem differentiellen Widerstand rBE und dem um die<br />

Stromverstärkung vergrößerten Emitterwiderstand.<br />

Mit Basisspannungsteiler:<br />

re = ve<br />

ie<br />

=(rBE + R4(1 + β))||R1||R2 = � β<br />

S + R4(1 + β) � ||R1||R2<br />

Ausgangswiderstand<br />

mit rCE →∞; ve = 0 → ic = 0 → ia = iR3<br />

ra = va<br />

≈ R3<br />

ia<br />

Ausgangswiderstand der Emitterschaltung<br />

Der Ausgangswiderstand der Emitterstufe ist näherungsweise<br />

so groß wie der Kollektorwiderstand R3.<br />

<strong>WS</strong> <strong>2012</strong> Seite 250/381

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