WS 2012 - Institut für Elektronik
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<strong>Institut</strong> <strong>für</strong> <strong>Elektronik</strong><br />

EST 1<br />

Allgemeines<br />

Arbeitspunktwahl<br />

AP-Einstellung<br />

V-Gegenkopplung<br />

I-Gegenkopplung<br />

Dimensionierung<br />

Grundschaltungen<br />

Emitterschaltung<br />

Basisschaltung<br />

Kollektorschaltung<br />

Av = va<br />

ve<br />

Grundschaltungen<br />

S · R3<br />

= −<br />

1 + S · R4<br />

S·R4≫1<br />

≈ − R3<br />

Spannungsverstärkung der Emitterschaltung<br />

Die Spannungsverstärkung der Emitterstufe ist<br />

näherungsweise das Verhältnis von Kollektorwiderstand zu<br />

Emitterwiderstand (β ≫, S · R4 ≫ 1, rCE ≫). Sie besitzt eine<br />

Phasendrehung von 180 ◦ .<br />

Eingangswiderstand<br />

Eingangsspannungsänderung: ve = vBE + vR4<br />

ve = iB · rBE + iB · R4 + iC · R4 = iB(rBE + R4 + β · R4)<br />

Zuerst Basisspannungsteiler wegdenken ...<br />

re = ve<br />

ie<br />

= rBE + R4(1 + β)<br />

R4<br />

<strong>WS</strong> <strong>2012</strong> Seite 249/381

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