WS 2012 - Institut für Elektronik
WS 2012 - Institut für Elektronik WS 2012 - Institut für Elektronik
Institut für Elektronik EST 1 Allgemeines Arbeitspunktwahl AP-Einstellung V-Gegenkopplung I-Gegenkopplung Dimensionierung Grundschaltungen Emitterschaltung Basisschaltung Kollektorschaltung Grundschaltungen Kleinsignalersatzschaltbild des Bipolartransistors B E vBE rBE iB ≈ iC S · vBE β · iB iC rCE Kleinsignalersatzschaltbild des Feldeffekttransistors G vGS S S · vGS iD rDS D vDS C vCE WS 2012 Seite 246/381 S E
Institut für Elektronik EST 1 Allgemeines Arbeitspunktwahl AP-Einstellung V-Gegenkopplung I-Gegenkopplung Dimensionierung Grundschaltungen Emitterschaltung Basisschaltung Kollektorschaltung Emitterschaltung: ve ie R1 Ve B R2 C1 Grundschaltungen R2 R1 vBE V+ rBE iB R3 E V+ iR4 R4 R4 iC C2 Va S · vBE β · iB C WS 2012 Seite 247/381 R3 iR3 ia va
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<strong>Institut</strong> <strong>für</strong> <strong>Elektronik</strong><br />
EST 1<br />
Allgemeines<br />
Arbeitspunktwahl<br />
AP-Einstellung<br />
V-Gegenkopplung<br />
I-Gegenkopplung<br />
Dimensionierung<br />
Grundschaltungen<br />
Emitterschaltung<br />
Basisschaltung<br />
Kollektorschaltung<br />
Grundschaltungen<br />
Kleinsignalersatzschaltbild des Bipolartransistors<br />
B<br />
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vBE<br />
rBE<br />
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S · vBE<br />
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Kleinsignalersatzschaltbild des Feldeffekttransistors<br />
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