WS 2012 - Institut für Elektronik
WS 2012 - Institut für Elektronik WS 2012 - Institut für Elektronik
Institut für Elektronik EST 1 Allgemeines Arbeitspunktwahl AP-Einstellung V-Gegenkopplung I-Gegenkopplung Dimensionierung Grundschaltungen Emitterschaltung Basisschaltung Kollektorschaltung Grundschaltungen Transistorgrundschaltungen im Vergleich Bipolartransistoren Emitterschaltung Basisschaltung Kollektorschaltung (Emitterfolger) Feldeffekttransistoren Source-Schaltung Gate-Schaltung Drain-Schaltung (Source-Folger) Kleinsignalbetrachtung Spannungsverstärkung: Av = ∂Va Stromverstärkung: Ai = ∂Ia ∂Ie ∂Ve → va = Av · ve → ia = Ai · ie WS 2012 Seite 242/381
Institut für Elektronik EST 1 Allgemeines Arbeitspunktwahl AP-Einstellung V-Gegenkopplung I-Gegenkopplung Dimensionierung Grundschaltungen Emitterschaltung Basisschaltung Kollektorschaltung Grundschaltungen Kleinsignalbetrachtung Signalquelle – Verstärker – Last v0 ve = v0 · ri ie ve re Avve re ri + re Betriebsverstärkung: AB = vL ra ia vL = Avve · RL v0 = Av · vL ra + RL re RL RL ri + re ra + RL WS 2012 Seite 243/381
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<strong>Institut</strong> <strong>für</strong> <strong>Elektronik</strong><br />
EST 1<br />
Allgemeines<br />
Arbeitspunktwahl<br />
AP-Einstellung<br />
V-Gegenkopplung<br />
I-Gegenkopplung<br />
Dimensionierung<br />
Grundschaltungen<br />
Emitterschaltung<br />
Basisschaltung<br />
Kollektorschaltung<br />
Grundschaltungen<br />
Transistorgrundschaltungen im Vergleich<br />
Bipolartransistoren<br />
Emitterschaltung<br />
Basisschaltung<br />
Kollektorschaltung (Emitterfolger)<br />
Feldeffekttransistoren<br />
Source-Schaltung<br />
Gate-Schaltung<br />
Drain-Schaltung (Source-Folger)<br />
Kleinsignalbetrachtung<br />
Spannungsverstärkung: Av = ∂Va<br />
Stromverstärkung: Ai = ∂Ia<br />
∂Ie<br />
∂Ve<br />
→ va = Av · ve<br />
→ ia = Ai · ie<br />
<strong>WS</strong> <strong>2012</strong> Seite 242/381
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