WS 2012 - Institut für Elektronik
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<strong>Institut</strong> <strong>für</strong> <strong>Elektronik</strong><br />

EST 1<br />

Allgemeines<br />

Arbeitspunktwahl<br />

AP-Einstellung<br />

V-Gegenkopplung<br />

I-Gegenkopplung<br />

Dimensionierung<br />

Grundschaltungen<br />

Emitterschaltung<br />

Basisschaltung<br />

Kollektorschaltung<br />

Allgemeines<br />

Probleme bei der Umsetzung<br />

Exemplarstreuung der Basis-Emitter-Spannung<br />

VBE = 580 − 700 mV bei IC = 2 mA und VCE = 5 V<br />

Exemplarstreuung der Stromverstärkung B<br />

B = 110 − 400<br />

Temperaturabhängigkeit der Basis-Emitter-Spannung<br />

dVBE<br />

dϑ<br />

= −2 mV/K<br />

Temperaturabhängigkeit der Stromverstärkung<br />

Zunahme von ≈ 0,5 %/K<br />

<strong>WS</strong> <strong>2012</strong> Seite 233/381

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