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WS 2012 - Institut für Elektronik

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<strong>Institut</strong> <strong>für</strong> <strong>Elektronik</strong><br />

EST 1<br />

Allgemeines<br />

Arbeitspunktwahl<br />

AP-Einstellung<br />

V-Gegenkopplung<br />

I-Gegenkopplung<br />

Dimensionierung<br />

Grundschaltungen<br />

Emitterschaltung<br />

Basisschaltung<br />

Kollektorschaltung<br />

Allgemeines<br />

ICmax maximaler Kollektorstrom<br />

VCEmax Durchbruchsspannung Kollektor-Emitter<br />

Ptot, ϑjmax zulässige Verlustleistung<br />

PV =(VCE · IC + VBE · IB) ≈ VCE · IC<br />

Wie groß darf der Kollektorstrom sein?<br />

- thermischer Widerstand Rthja = 250 K/W<br />

- max. Sperrschichttemperatur ϑjmax = 150 ◦ C<br />

- Umgebungstemperatur ϑa = 50 ◦ C<br />

- VCE = 10 V<br />

PV = ϑjmax − ϑa<br />

Rthja<br />

= 150 ◦ C − 50 ◦ C<br />

250 K/W<br />

IC = PV<br />

=<br />

VCE<br />

0,4 W<br />

= 40 mA<br />

10 V<br />

= 400 mW<br />

Anm.: Transistor arbeitet an seiner thermischen Grenze ...<br />

<strong>WS</strong> <strong>2012</strong> Seite 230/381

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