WS 2012 - Institut für Elektronik
WS 2012 - Institut für Elektronik WS 2012 - Institut für Elektronik
Institut für Elektronik EST 1 Einführung Historisches Bipolartransistor Betriebsarten Kennlinien Ebers Moll Modell Großsignal-ESB Kleinsignal-ESB J-FET Arbeitsbereiche Kennlinien MOS-FET Arbeitsbereiche Kennlinien MOS-FET MOS-Transistor-Typen n-Kanal Anreicherungstyp p-Kanal Anreicherungstyp n-Kanal Verarmungstyp p-Kanal Verarmungstyp p n S G D n n S G D p p WS 2012 Seite 226/381
Institut für Elektronik EST 1 Einführung Historisches Bipolartransistor Betriebsarten Kennlinien Ebers Moll Modell Großsignal-ESB Kleinsignal-ESB J-FET Arbeitsbereiche Kennlinien MOS-FET Arbeitsbereiche Kennlinien MOS-FET Verarmungstypen Bei der Herstellung wird ein Kanal erzeugt, der durch Anlegen einer Steuerspannung VGS abgeschnürt werden kann. Steuerkennlinie ID in μA 300 250 200 150 100 0 -7 -6 -5 -4 -3 -2 -1 0 VGS in Volt 50 WS 2012 Seite 227/381
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<strong>Institut</strong> <strong>für</strong> <strong>Elektronik</strong><br />
EST 1<br />
Einführung<br />
Historisches<br />
Bipolartransistor<br />
Betriebsarten<br />
Kennlinien<br />
Ebers Moll Modell<br />
Großsignal-ESB<br />
Kleinsignal-ESB<br />
J-FET<br />
Arbeitsbereiche<br />
Kennlinien<br />
MOS-FET<br />
Arbeitsbereiche<br />
Kennlinien<br />
MOS-FET<br />
Verarmungstypen<br />
Bei der Herstellung wird ein Kanal erzeugt, der durch Anlegen<br />
einer Steuerspannung VGS abgeschnürt werden kann.<br />
Steuerkennlinie<br />
ID in μA<br />
300<br />
250<br />
200<br />
150<br />
100<br />
0<br />
-7 -6 -5 -4 -3 -2 -1 0 VGS in Volt<br />
50<br />
<strong>WS</strong> <strong>2012</strong> Seite 227/381
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