WS 2012 - Institut für Elektronik
WS 2012 - Institut für Elektronik WS 2012 - Institut für Elektronik
Institut für Elektronik EST 1 Einführung Historisches Bipolartransistor Betriebsarten Kennlinien Ebers Moll Modell Großsignal-ESB Kleinsignal-ESB J-FET Arbeitsbereiche Kennlinien MOS-FET Arbeitsbereiche Kennlinien MOS-FET Werte eines diskreten Transistors: K Steilheitskoeffizient (Transconductance Coefficient) S = ∂ID ∂VGS ≈ K(VGS − Vth) ≈ � 2K · ID K ≈ S2 AP 2 · ID,AP λ Kanallängenmodulationskoeffizient λ = 1 VA ≈ 1 rDS,A · ID,AP rDS differentieller Ausgangswiderstand rDS = ∂VDS ∂ID = 1 λ · ID WS 2012 Seite 222/381
Institut für Elektronik EST 1 Einführung Historisches Bipolartransistor Betriebsarten Kennlinien Ebers Moll Modell Großsignal-ESB Kleinsignal-ESB J-FET Arbeitsbereiche Kennlinien MOS-FET Arbeitsbereiche Kennlinien Messschaltung V1 + − V VGS MOS-FET ID V A VDS + − V2 WS 2012 Seite 223/381
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<strong>Institut</strong> <strong>für</strong> <strong>Elektronik</strong><br />
EST 1<br />
Einführung<br />
Historisches<br />
Bipolartransistor<br />
Betriebsarten<br />
Kennlinien<br />
Ebers Moll Modell<br />
Großsignal-ESB<br />
Kleinsignal-ESB<br />
J-FET<br />
Arbeitsbereiche<br />
Kennlinien<br />
MOS-FET<br />
Arbeitsbereiche<br />
Kennlinien<br />
Messschaltung<br />
V1<br />
+<br />
−<br />
V<br />
VGS<br />
MOS-FET<br />
ID<br />
V<br />
A<br />
VDS<br />
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V2<br />
<strong>WS</strong> <strong>2012</strong> Seite 223/381
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