WS 2012 - Institut für Elektronik

Weitere Magazine

Empfehlungen

Info

Institut für Elektronik EST 1 Einführung Historisches Bipolartransistor Betriebsarten Kennlinien Ebers Moll Modell Großsignal-ESB Kleinsignal-ESB J-FET Arbeitsbereiche Kennlinien MOS-FET Arbeitsbereiche Kennlinien Funktionsprinzip p VGS MOS-FET VDS − + − + S G D n n WS 2012 Seite 220/381
Institut für Elektronik EST 1 Einführung Historisches Bipolartransistor Betriebsarten Kennlinien Ebers Moll Modell Großsignal-ESB Kleinsignal-ESB J-FET Arbeitsbereiche Kennlinien MOS-FET Arbeitsbereiche Kennlinien p MOS-FET Arbeitsbereiche eines MOSFETs VGS ≤ Vth VDS ≥ 0 n n Sperrbereich Sperrbereich Widerstandsbereich � ID = K Sättigungsbereich p 0 ≤ VDS ≤ VGS − Vth VGS > Vth n n Widerstandsbereich ID = 0 VGS − Vth − VDS 2 � p VGS > Vth VGS − Vth < VDS n n Sättigungsbereich VDS · (1 + λVDS) ID = K 2 (VGS − Vth) 2 · (1 + λVDS) WS 2012 Seite 221/381
Seite 1 und 2:
Institut für Elektronik EST 1 EST
Seite 3 und 4:
Institut für Elektronik EST 1 Lite
Seite 5 und 6:
Institut für Elektronik EST 1 Einf
Seite 7 und 8:
Seite 9 und 10:
Seite 11 und 12:
Seite 13 und 14:
Seite 15 und 16:
Seite 17 und 18:
Seite 19 und 20:
Seite 21 und 22:
Seite 23 und 24:
Seite 25 und 26:
Seite 27 und 28:
Seite 29 und 30:
Seite 31 und 32:
Seite 33 und 34:
Seite 35 und 36:
Seite 37 und 38:
Seite 39 und 40:
Seite 41 und 42:
Seite 43 und 44:
Seite 45 und 46:
Seite 47 und 48:
Seite 49 und 50:
Seite 51 und 52:
Seite 53 und 54:
Seite 55 und 56:
Seite 57 und 58:
Seite 59 und 60:
Seite 61 und 62:
Seite 63 und 64:
Seite 65 und 66:
Seite 67 und 68:
Seite 69 und 70:
Seite 71 und 72:
Seite 73 und 74:
Seite 75 und 76:
Seite 77 und 78:
Seite 79 und 80:
Seite 81 und 82:
Seite 83 und 84:
Seite 85 und 86:
Seite 87 und 88:
Seite 89 und 90:
Seite 91 und 92:
Seite 93 und 94:
Seite 95 und 96:
Seite 97 und 98:
Seite 99 und 100:
Seite 101 und 102:
Seite 103 und 104:
Seite 105 und 106:
Seite 107 und 108:
Seite 109 und 110:
Seite 111 und 112:
Seite 113 und 114:
Seite 115 und 116:
Seite 117 und 118:
Seite 119 und 120:
Seite 121 und 122:
Seite 123 und 124:
Seite 125 und 126:
Seite 127 und 128:
Seite 129 und 130:
Seite 131 und 132:
Seite 133 und 134:
Institut für Elektronik EST 1 Sili
Seite 135 und 136:
Seite 137 und 138:
Seite 139 und 140:
Seite 141 und 142:
Seite 143 und 144:
Seite 145 und 146:
Seite 147 und 148:
Seite 149 und 150:
Seite 151 und 152:
Seite 153 und 154:
Seite 155 und 156:
V in V 6 4 2 0 -2 -4 -6 I in A 8 6
Seite 157 und 158:
Seite 159 und 160:
Seite 161 und 162:
Seite 163 und 164:
Seite 165 und 166:
Seite 167 und 168:
Seite 169 und 170: Institut für Elektronik EST 1 Sili
Seite 181 und 182: Institut für Elektronik EST 1 Einf
Seite 219: Institut für Elektronik EST 1 Einf
Seite 229 und 230: Institut für Elektronik EST 1 Allg
Seite 263 und 264: Institut für Elektronik EST 1 Stro
Seite 271 und 272:
Institut für Elektronik EST 1 Stro
Seite 273 und 274:
Seite 275 und 276:
Seite 277 und 278:
Seite 279 und 280:
Seite 281 und 282:
Seite 283 und 284:
Institut für Elektronik EST 1 Idea
Seite 285 und 286:
Seite 287 und 288:
Seite 289 und 290:
Seite 291 und 292:
Seite 293 und 294:
Seite 295 und 296:
Seite 297 und 298:
Seite 299 und 300:
Seite 301 und 302:
Seite 303 und 304:
Institut für Elektronik EST 1 Anwe
Seite 305 und 306:
Seite 307 und 308:
Seite 309 und 310:
Seite 311 und 312:
Seite 313 und 314:
Seite 315 und 316:
Seite 317 und 318:
Seite 319 und 320:
Seite 321 und 322:
Seite 323 und 324:
Seite 325 und 326:
Seite 327 und 328:
Seite 329 und 330:
Seite 331 und 332:
Seite 333 und 334:
Seite 335 und 336:
Seite 337 und 338:
Seite 339 und 340:
Seite 341 und 342:
Seite 343 und 344:
Seite 345 und 346:
Institut für Elektronik EST 1 Refe
Seite 347 und 348:
Seite 349 und 350:
Seite 351 und 352:
Seite 353 und 354:
Seite 355 und 356:
Seite 357 und 358:
Seite 359 und 360:
Seite 361 und 362:
Seite 363 und 364:
Seite 365 und 366:
Seite 367 und 368:
Seite 369 und 370:
Seite 371 und 372:
Institut für Elektronik EST 1 Schw
Seite 373 und 374:
Seite 375 und 376:
Seite 377 und 378:
Seite 379 und 380:
Seite 381:
Alle anzeigen

WS 2012 - Institut für Elektronik

Sie wollen auch ein ePaper? Erhöhen Sie die Reichweite Ihrer Titel.

Template löschen?

Als Template speichern?