WS 2012 - Institut für Elektronik

Institut für Elektronik
EST 1
Einführung
Historisches
Bipolartransistor
Betriebsarten
Kennlinien
Ebers Moll Modell
Großsignal-ESB
Kleinsignal-ESB
J-FET
Arbeitsbereiche
Kennlinien
MOS-FET
Arbeitsbereiche
Kennlinien
J-FET
Temperaturverhalten
Beweglichkeit der Ladungsträger:
Mit steigender Temperatur nimmt die Beweglichkeit der
Ladungsträger im Kanal ab. Dadurch sinkt der Drainstrom.
ID > IDSS/4
Temperaturabhängigkeit der Sperrschichtbreite:
Mit steigender Temperatur nimmt die Breite der
Sperrschicht ab, dadurch wird der Kanal breiter und der
Drainstrom nimmt zu.
ID < IDSS/4
⇒ Simulation Temperaturverhalten
WS 2012 Seite 218/381