WS 2012 - Institut für Elektronik

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Institut für Elektronik EST 1 Einführung Historisches Bipolartransistor Betriebsarten Kennlinien Ebers Moll Modell Großsignal-ESB Kleinsignal-ESB J-FET Arbeitsbereiche Kennlinien MOS-FET Arbeitsbereiche Kennlinien J-FET Widerstandsbereich oder Sättigungsbereich? Ein n-Kanal-JFET besitzt eine Abschnürspannung von Vp = −3 V. Am Gate liegt eine Steuerspannung von VGS = −1V. Welche Spannung muss zwischen Drain und Source abfallen, damit sich der FET im Sättigungsbereich befindet? VDSP = VGS − VP = −1 V − (−3 V) =2 V Ab einer minimalen Spannung von 2 V befindet sich der FET im Sättigungsbereich. Soll der FET zum Beispiel als hochohmige Stromquelle verwendet werden, so sollte die Spannung VDS deutlich über diesem Wert gewählt werden. WS 2012 Seite 214/381
Institut für Elektronik EST 1 Einführung Historisches Bipolartransistor Betriebsarten Kennlinien Ebers Moll Modell Großsignal-ESB Kleinsignal-ESB J-FET Arbeitsbereiche Kennlinien MOS-FET Arbeitsbereiche Kennlinien Messschaltung V1 − + V J-FET Kennlinien VGS ID V A VDS + − V2 WS 2012 Seite 215/381
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