WS 2012 - Institut für Elektronik
30.11.2012 • Aufrufe
Teilen Einbetten Melden

WS 2012 - Institut für Elektronik

WS 2012 - Institut für Elektronik

WS 2012 - Institut für Elektronik

MEHR ANZEIGEN
WENIGER ANZEIGEN
ePAPER LESEN
ePAPER HERUNTERLADEN
ife.tugraz.at

Erfolgreiche ePaper selbst erstellen

Machen Sie aus Ihren PDF Publikationen ein blätterbares Flipbook mit unserer einzigartigen Google optimierten e-Paper Software.

JETZT STARTEN

<strong>Institut</strong> <strong>für</strong> <strong>Elektronik</strong><br />

EST 1<br />

Einführung<br />

Historisches<br />

Bipolartransistor<br />

Betriebsarten<br />

Kennlinien<br />

Ebers Moll Modell<br />

Großsignal-ESB<br />

Kleinsignal-ESB<br />

J-FET<br />

Arbeitsbereiche<br />

Kennlinien<br />

MOS-FET<br />

Arbeitsbereiche<br />

Kennlinien<br />

Widerstandsbereich<br />

�<br />

ID =<br />

2 · IDSS<br />

V 2<br />

P<br />

Abschnürbereich:<br />

J-FET<br />

Arbeitsbereiche<br />

VGS − VP − VDS<br />

2<br />

�<br />

VDS · (1 + λVDS)<br />

ID = IDSS<br />

V 2 (VGS − Vp)<br />

p<br />

2 · (1 + λVDS)<br />

λ Kanallängenmodulationskoeffizient<br />

(typische Werte: 5 bis 30 · 10 −3 V −1 )<br />

S Steilheit<br />

S = ∂ID<br />

∂VGS<br />

= IDS<br />

V 2 (VGS − Vp) =<br />

p<br />

2 �<br />

IDSS · ID<br />

|VP|<br />

S � � �max =<br />

2 · IDSS<br />

|Vp|<br />

<strong>WS</strong> <strong>2012</strong> Seite 213/381

logo

Produkte

Ressourcen

Unternehmen

AGB
Datenschutzerklärung
Cookie-Richtlinien
Cookie-Einstellungen
Impressum
Change language
Made with love in Switzerland
© 2024 Yumpu.com all rights reserved

Hurra! Ihre Datei wurde hochgeladen und ist bereit für die Veröffentlichung.

Erfolgreich gespeichert!

Leider ist etwas schief gelaufen!