WS 2012 - Institut für Elektronik
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<strong>Institut</strong> <strong>für</strong> <strong>Elektronik</strong><br />

EST 1<br />

Einführung<br />

Historisches<br />

Bipolartransistor<br />

Betriebsarten<br />

Kennlinien<br />

Ebers Moll Modell<br />

Großsignal-ESB<br />

Kleinsignal-ESB<br />

J-FET<br />

Arbeitsbereiche<br />

Kennlinien<br />

MOS-FET<br />

Arbeitsbereiche<br />

Kennlinien<br />

Bipolartransistor<br />

Steilheit<br />

S = ∂IC<br />

�<br />

�<br />

�<br />

�<br />

� = B·<br />

∂VBE �<br />

ΔVCE=0<br />

∂IB<br />

�<br />

�<br />

�<br />

�<br />

�<br />

∂VBE �<br />

ΔVCE=0<br />

= B · IBS<br />

VBE<br />

· e VT<br />

VT<br />

differentieller Eingangswiderstand<br />

rBE = ∂VBE<br />

�<br />

�<br />

�<br />

�<br />

� =<br />

∂IB �<br />

ΔVCE=0<br />

∂VBE<br />

=<br />

1/β · ∂IC<br />

β β · VT<br />

=<br />

S IC<br />

Temperaturverhalten<br />

VBE(ϑ) =VBE(ϑ0)+dT ·(ϑ−ϑ0) mit dT = dVBE<br />

dϑ<br />

= IC<br />

VT<br />

= −2 mV/K<br />

B(ϑ) =B(ϑ0) · e b(ϑ−ϑ0) 1 dB<br />

mit b =<br />

B dϑ = 5, 6 · 10−3 1/K<br />

<strong>WS</strong> <strong>2012</strong> Seite 210/381

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