WS 2012 - Institut für Elektronik
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<strong>Institut</strong> <strong>für</strong> <strong>Elektronik</strong><br />

EST 1<br />

Einführung<br />

Historisches<br />

Bipolartransistor<br />

Betriebsarten<br />

Kennlinien<br />

Ebers Moll Modell<br />

Großsignal-ESB<br />

Kleinsignal-ESB<br />

J-FET<br />

Arbeitsbereiche<br />

Kennlinien<br />

MOS-FET<br />

Arbeitsbereiche<br />

Kennlinien<br />

Bipolartransistor<br />

Ersatzschaltbild bei Spannungssteuerung<br />

B<br />

vBE<br />

E<br />

iB<br />

rBE<br />

iB = 1<br />

· vBE<br />

rBE<br />

iC = S · vBE + 1<br />

S · vBE<br />

iC<br />

rCE<br />

C<br />

vCE<br />

· vCE<br />

rCE<br />

- 1/rBE = y11, differentieller Eingangsleitwert<br />

- S = y21, Steilheit<br />

- 1/rCE = y22, differentieller Ausgangsleitwert<br />

<strong>WS</strong> <strong>2012</strong> Seite 209/381<br />

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