WS 2012 - Institut für Elektronik
WS 2012 - Institut für Elektronik WS 2012 - Institut für Elektronik
Institut für Elektronik EST 1 Einführung Historisches Bipolartransistor Betriebsarten Kennlinien Ebers Moll Modell Großsignal-ESB Kleinsignal-ESB J-FET Arbeitsbereiche Kennlinien MOS-FET Arbeitsbereiche Kennlinien Bipolartransistor Ersatzschaltbild bei Stromsteuerung B vBE E iB rBE vBE = rBE · iB iC = β · iB + 1 β · iB · vCE rCE iC rCE C vCE - rBE = h11, differentieller Eingangswiderstand - β = h21, differentielle Stromverstärkung - 1/rCE = h22, differentieller Ausgangsleitwert WS 2012 Seite 208/381 E
Institut für Elektronik EST 1 Einführung Historisches Bipolartransistor Betriebsarten Kennlinien Ebers Moll Modell Großsignal-ESB Kleinsignal-ESB J-FET Arbeitsbereiche Kennlinien MOS-FET Arbeitsbereiche Kennlinien Bipolartransistor Ersatzschaltbild bei Spannungssteuerung B vBE E iB rBE iB = 1 · vBE rBE iC = S · vBE + 1 S · vBE iC rCE C vCE · vCE rCE - 1/rBE = y11, differentieller Eingangsleitwert - S = y21, Steilheit - 1/rCE = y22, differentieller Ausgangsleitwert WS 2012 Seite 209/381 E
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<strong>Institut</strong> <strong>für</strong> <strong>Elektronik</strong><br />
EST 1<br />
Einführung<br />
Historisches<br />
Bipolartransistor<br />
Betriebsarten<br />
Kennlinien<br />
Ebers Moll Modell<br />
Großsignal-ESB<br />
Kleinsignal-ESB<br />
J-FET<br />
Arbeitsbereiche<br />
Kennlinien<br />
MOS-FET<br />
Arbeitsbereiche<br />
Kennlinien<br />
Bipolartransistor<br />
Ersatzschaltbild bei Stromsteuerung<br />
B<br />
vBE<br />
E<br />
iB<br />
rBE<br />
vBE = rBE · iB<br />
iC = β · iB + 1<br />
β · iB<br />
· vCE<br />
rCE<br />
iC<br />
rCE<br />
C<br />
vCE<br />
- rBE = h11, differentieller Eingangswiderstand<br />
- β = h21, differentielle Stromverstärkung<br />
- 1/rCE = h22, differentieller Ausgangsleitwert<br />
<strong>WS</strong> <strong>2012</strong> Seite 208/381<br />
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