WS 2012 - Institut für Elektronik
WS 2012 - Institut für Elektronik WS 2012 - Institut für Elektronik
Institut für Elektronik EST 1 Einführung Historisches Bipolartransistor Betriebsarten Kennlinien Ebers Moll Modell Großsignal-ESB Kleinsignal-ESB J-FET Arbeitsbereiche Kennlinien MOS-FET Arbeitsbereiche Kennlinien Bipolartransistor Berücksichtigung des Early-Effekts B VBE E IB rBE VBE0 Mathematische Beschreibung: IB = VBE − VBE0 rBE B · IB IC = B · IB + VCE rCE IC rCE C VCE WS 2012 Seite 206/381 E
Institut für Elektronik EST 1 Einführung Historisches Bipolartransistor Betriebsarten Kennlinien Ebers Moll Modell Großsignal-ESB Kleinsignal-ESB J-FET Arbeitsbereiche Kennlinien MOS-FET Arbeitsbereiche Kennlinien Bipolartransistor Kleinsignalbetrachtung Steht das dynamische Verhalten bei der Aussteuerung um einen vorher eingestellten Betriebspunkt im Vordergrund, so kann jede konstante Spannungsquelle im Ersatzschaltbild durch einen Kurzschluss ersetzt werden. Die Berechnung beschäftigt sich nur mehr mit den differentiellen Änderungen der Signale. Man spricht von einer Wechselsignal- bzw. Kleinsignalbetrachtung. WS 2012 Seite 207/381
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<strong>Institut</strong> <strong>für</strong> <strong>Elektronik</strong><br />
EST 1<br />
Einführung<br />
Historisches<br />
Bipolartransistor<br />
Betriebsarten<br />
Kennlinien<br />
Ebers Moll Modell<br />
Großsignal-ESB<br />
Kleinsignal-ESB<br />
J-FET<br />
Arbeitsbereiche<br />
Kennlinien<br />
MOS-FET<br />
Arbeitsbereiche<br />
Kennlinien<br />
Bipolartransistor<br />
Kleinsignalbetrachtung<br />
Steht das dynamische Verhalten bei der Aussteuerung um<br />
einen vorher eingestellten Betriebspunkt im Vordergrund, so<br />
kann jede konstante Spannungsquelle im Ersatzschaltbild<br />
durch einen Kurzschluss ersetzt werden. Die Berechnung<br />
beschäftigt sich nur mehr mit den differentiellen Änderungen<br />
der Signale. Man spricht von einer Wechselsignal- bzw.<br />
Kleinsignalbetrachtung.<br />
<strong>WS</strong> <strong>2012</strong> Seite 207/381
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