WS 2012 - Institut für Elektronik
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<strong>Institut</strong> <strong>für</strong> <strong>Elektronik</strong><br />

EST 1<br />

Einführung<br />

Historisches<br />

Bipolartransistor<br />

Betriebsarten<br />

Kennlinien<br />

Ebers Moll Modell<br />

Großsignal-ESB<br />

Kleinsignal-ESB<br />

J-FET<br />

Arbeitsbereiche<br />

Kennlinien<br />

MOS-FET<br />

Arbeitsbereiche<br />

Kennlinien<br />

Bipolartransistor<br />

Linearisiertes Großsignal-Ersatzschaltbild<br />

B<br />

VBE<br />

E<br />

IB<br />

rBE<br />

VBE0<br />

IC<br />

B · IB<br />

C<br />

VCE<br />

Diese Ersatzschaltbild geht von einem unendlich großen<br />

Ausgangswiderstand des Transistors aus. Bei Anwendungen,<br />

deren Ausgangswiderstand kritisch ist (z.B. Stromquellen),<br />

muss das Ersatzschaltbild um einen Widerstand erweitert<br />

werden.<br />

<strong>WS</strong> <strong>2012</strong> Seite 205/381<br />

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