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WS 2012 - Institut für Elektronik

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<strong>Institut</strong> <strong>für</strong> <strong>Elektronik</strong><br />

EST 1<br />

Einführung<br />

Historisches<br />

Bipolartransistor<br />

Betriebsarten<br />

Kennlinien<br />

Ebers Moll Modell<br />

Großsignal-ESB<br />

Kleinsignal-ESB<br />

J-FET<br />

Arbeitsbereiche<br />

Kennlinien<br />

MOS-FET<br />

Arbeitsbereiche<br />

Kennlinien<br />

Bipolartransistor<br />

Vernachlässigt man den Kollektor-Emitter-Reststrom ICE0 kann<br />

das Ausgangsverhalten des Bipolartransistors durch eine<br />

stromgesteuerte Stromquelle dargestellt werden.<br />

B = IC/IB<br />

B Stromverstärkung der Emitterschaltung<br />

Eingangsverhalten<br />

IE = IES(e VBE /VT − 1)+ARICS<br />

IC = AFIES(e VBE/VT − 1)+ICS<br />

Einsetzen in die Gleichungen <strong>für</strong> den Basisstrom:<br />

IB = IE − IC =(1− AF) · IES<br />

��������������������������<br />

IBS<br />

(e VBE /VT − 1) − (1 − AR) · ICS<br />

<strong>WS</strong> <strong>2012</strong> Seite 203/381

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