WS 2012 - Institut für Elektronik
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<strong>Institut</strong> <strong>für</strong> <strong>Elektronik</strong><br />

EST 1<br />

Einführung<br />

Historisches<br />

Bipolartransistor<br />

Betriebsarten<br />

Kennlinien<br />

Ebers Moll Modell<br />

Großsignal-ESB<br />

Kleinsignal-ESB<br />

J-FET<br />

Arbeitsbereiche<br />

Kennlinien<br />

MOS-FET<br />

Arbeitsbereiche<br />

Kennlinien<br />

Bipolartransistor<br />

Setzt man <strong>für</strong> den Emitterstrom die Summe aus Basis- und<br />

Kollektorstrom ein ergibt sich:<br />

beziehungsweise:<br />

IC = AFIE + ICB0 = AFIC + AFIB + ICB0<br />

IC = AF<br />

1 − AF<br />

��������<br />

BF<br />

IB + ICB0<br />

1 − AF<br />

��������<br />

ICE0<br />

IC = BFIB + ICE0 → BF = IC − ICE0<br />

BF inhärente Stromverstärkung der Emitterschaltung<br />

<strong>WS</strong> <strong>2012</strong> Seite 202/381<br />

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