WS 2012 - Institut für Elektronik
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<strong>Institut</strong> <strong>für</strong> <strong>Elektronik</strong><br />

EST 1<br />

Einführung<br />

Historisches<br />

Bipolartransistor<br />

Betriebsarten<br />

Kennlinien<br />

Ebers Moll Modell<br />

Großsignal-ESB<br />

Kleinsignal-ESB<br />

J-FET<br />

Arbeitsbereiche<br />

Kennlinien<br />

MOS-FET<br />

Arbeitsbereiche<br />

Kennlinien<br />

Bipolartransistor<br />

Vereinfachung <strong>für</strong> Verstärkerbetrieb<br />

Basis-Emitter-Diode leitet VBE > 0, Basis-Kollektor-Diode<br />

sperrt VCB < 0 → Exponentialterme der Sperrströme<br />

verschwinden.<br />

IE = IES(e VBE /VT − 1)+ARICS<br />

IC = AFIES(e VBE/VT − 1)+ICS<br />

Ausgangsverhalten<br />

Erste Gleichung mit AF multiplizieren und in die zweite<br />

Gleichung einsetzen:<br />

IC = AFIE +(1 − AFAR) · ICS<br />

����������������������������������<br />

ICB0<br />

ICB0 Kollektor-Basis-Reststrom<br />

<strong>WS</strong> <strong>2012</strong> Seite 201/381

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