WS 2012 - Institut für Elektronik
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Institut für Elektronik EST 1 Einführung Historisches Bipolartransistor Betriebsarten Kennlinien Ebers Moll Modell Großsignal-ESB Kleinsignal-ESB J-FET Arbeitsbereiche Kennlinien MOS-FET Arbeitsbereiche Kennlinien −VA Bipolartransistor Konstruktion der Early-Spannung � � � � IC rCE = ∂VCE � ∂IC � VBE=konstant ≈ VA IC VCE WS 2012 Seite 198/381
Institut für Elektronik EST 1 Einführung Historisches Bipolartransistor Betriebsarten Kennlinien Ebers Moll Modell Großsignal-ESB Kleinsignal-ESB J-FET Arbeitsbereiche Kennlinien MOS-FET Arbeitsbereiche Kennlinien Bipolartransistor Beschreibung durch ein mathematisches Modell Ebers-Moll-Modell E’ IE REE ′ E ARICR VBE IEF ICR AFIEF VBC RBB ′ VB IB ′ E ′ VB ′ C ′ B B’ C RCC ′ AF inhärente Stromverstärkung der Basisschaltung (Normalbetrieb) AF ≈ 0,99 AR inhärente Stromverstärkung der Basisschaltung (Inversbetrieb) AR ≈ 0,05 WS 2012 Seite 199/381 IC C’
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<strong>Institut</strong> <strong>für</strong> <strong>Elektronik</strong><br />
EST 1<br />
Einführung<br />
Historisches<br />
Bipolartransistor<br />
Betriebsarten<br />
Kennlinien<br />
Ebers Moll Modell<br />
Großsignal-ESB<br />
Kleinsignal-ESB<br />
J-FET<br />
Arbeitsbereiche<br />
Kennlinien<br />
MOS-FET<br />
Arbeitsbereiche<br />
Kennlinien<br />
Bipolartransistor<br />
Beschreibung durch ein mathematisches<br />
Modell<br />
Ebers-Moll-Modell<br />
E’<br />
IE<br />
REE ′<br />
E<br />
ARICR<br />
VBE<br />
IEF<br />
ICR<br />
AFIEF<br />
VBC<br />
RBB ′<br />
VB<br />
IB<br />
′ E ′ VB ′ C ′<br />
B<br />
B’<br />
C<br />
RCC ′<br />
AF inhärente Stromverstärkung der Basisschaltung<br />
(Normalbetrieb) AF ≈ 0,99<br />
AR inhärente Stromverstärkung der Basisschaltung<br />
(Inversbetrieb) AR ≈ 0,05<br />
<strong>WS</strong> <strong>2012</strong> Seite 199/381<br />
IC<br />
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