WS 2012 - Institut für Elektronik
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<strong>Institut</strong> <strong>für</strong> <strong>Elektronik</strong><br />

EST 1<br />

Einführung<br />

Historisches<br />

Bipolartransistor<br />

Betriebsarten<br />

Kennlinien<br />

Ebers Moll Modell<br />

Großsignal-ESB<br />

Kleinsignal-ESB<br />

J-FET<br />

Arbeitsbereiche<br />

Kennlinien<br />

MOS-FET<br />

Arbeitsbereiche<br />

Kennlinien<br />

Bipolartransistor<br />

Steuerkennlinie bei Spannungssteuerung<br />

IC in mA<br />

200<br />

150<br />

100<br />

50<br />

VCE = 10 V<br />

VCE = 20 V<br />

VCE = 30 V<br />

0<br />

0 0,2 0,4 0,6 0,8 VBE in Volt<br />

S = ∂IC<br />

⇒ Simulation Steuerkennlinie<br />

∂VBE<br />

�<br />

�<br />

�<br />

�<br />

�<br />

�<br />

ΔVCE=0<br />

<strong>WS</strong> <strong>2012</strong> Seite 195/381

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