WS 2012 - Institut für Elektronik
WS 2012 - Institut für Elektronik WS 2012 - Institut für Elektronik
Institut für Elektronik EST 1 Einführung Historisches Bipolartransistor Betriebsarten Kennlinien Ebers Moll Modell Großsignal-ESB Kleinsignal-ESB J-FET Arbeitsbereiche Kennlinien MOS-FET Arbeitsbereiche Kennlinien Bipolartransistor Beschreibung mit Kennlinien Messung der Kennlinien V1 + − V A IB VBE IC V A VCE WS 2012 Seite 192/381 + − V2
Institut für Elektronik EST 1 Einführung Historisches Bipolartransistor Betriebsarten Kennlinien Ebers Moll Modell Großsignal-ESB Kleinsignal-ESB J-FET Arbeitsbereiche Kennlinien MOS-FET Arbeitsbereiche Kennlinien Eingangskennlinie IB in mA 2 1,5 1 0,5 Bipolartransistor VCE = 10 V 0 0 0,2 0,4 0,6 0,8 VBE in Volt rBE = ∂VBE ∂IB ⇒ Simulation Eingangskennlinie � � � � � � ΔVCE=0 WS 2012 Seite 193/381
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<strong>Institut</strong> <strong>für</strong> <strong>Elektronik</strong><br />
EST 1<br />
Einführung<br />
Historisches<br />
Bipolartransistor<br />
Betriebsarten<br />
Kennlinien<br />
Ebers Moll Modell<br />
Großsignal-ESB<br />
Kleinsignal-ESB<br />
J-FET<br />
Arbeitsbereiche<br />
Kennlinien<br />
MOS-FET<br />
Arbeitsbereiche<br />
Kennlinien<br />
Eingangskennlinie<br />
IB in mA<br />
2<br />
1,5<br />
1<br />
0,5<br />
Bipolartransistor<br />
VCE = 10 V<br />
0<br />
0 0,2 0,4 0,6 0,8 VBE in Volt<br />
rBE = ∂VBE<br />
∂IB<br />
⇒ Simulation Eingangskennlinie<br />
�<br />
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ΔVCE=0<br />
<strong>WS</strong> <strong>2012</strong> Seite 193/381
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