WS 2012 - Institut für Elektronik
WS 2012 - Institut für Elektronik WS 2012 - Institut für Elektronik
Institut für Elektronik EST 1 Einführung Historisches Bipolartransistor Betriebsarten Kennlinien Ebers Moll Modell Großsignal-ESB Kleinsignal-ESB J-FET Arbeitsbereiche Kennlinien MOS-FET Arbeitsbereiche Kennlinien Bipolartransistor Betriebszustände des Transistors Spannungen und Ströme an einer Emitterschaltung V1 RB IB VBC VBE RC IC IE VCE Normalbetrieb VBE > 0 und VBC < 0 Sättigungsbetrieb VBE > 0 und VBC > 0 V2 WS 2012 Seite 190/381
Institut für Elektronik EST 1 Einführung Historisches Bipolartransistor Betriebsarten Kennlinien Ebers Moll Modell Großsignal-ESB Kleinsignal-ESB J-FET Arbeitsbereiche Kennlinien MOS-FET Arbeitsbereiche Kennlinien Bipolartransistor Sättigungsbetrieb – Transistor als Schalter Bipolare Transistoren als Schalter – Schottky-Klemmung Feldeffekttransistoren als Schalter Bessere Trennung der Stromkreise keine Sättigungsspannung Spannungsabfall hängt von Ron und vom Strom ab. IGBT (Isolated Gate Bipolar Transistor) Sperrbetrieb VBE < 0 und VBC < 0 Inversbetrieb VBE < 0 und VBC > 0 WS 2012 Seite 191/381
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<strong>Institut</strong> <strong>für</strong> <strong>Elektronik</strong><br />
EST 1<br />
Einführung<br />
Historisches<br />
Bipolartransistor<br />
Betriebsarten<br />
Kennlinien<br />
Ebers Moll Modell<br />
Großsignal-ESB<br />
Kleinsignal-ESB<br />
J-FET<br />
Arbeitsbereiche<br />
Kennlinien<br />
MOS-FET<br />
Arbeitsbereiche<br />
Kennlinien<br />
Bipolartransistor<br />
Betriebszustände des Transistors<br />
Spannungen und Ströme an einer Emitterschaltung<br />
V1<br />
RB IB<br />
VBC<br />
VBE<br />
RC<br />
IC<br />
IE<br />
VCE<br />
Normalbetrieb VBE > 0 und VBC < 0<br />
Sättigungsbetrieb VBE > 0 und VBC > 0<br />
V2<br />
<strong>WS</strong> <strong>2012</strong> Seite 190/381
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