WS 2012 - Institut für Elektronik
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<strong>Institut</strong> <strong>für</strong> <strong>Elektronik</strong><br />

EST 1<br />

Einführung<br />

Historisches<br />

Bipolartransistor<br />

Betriebsarten<br />

Kennlinien<br />

Ebers Moll Modell<br />

Großsignal-ESB<br />

Kleinsignal-ESB<br />

J-FET<br />

Arbeitsbereiche<br />

Kennlinien<br />

MOS-FET<br />

Arbeitsbereiche<br />

Kennlinien<br />

Transistoreffekt<br />

Bipolartransistor<br />

n + --<br />

p - - + + n<br />

Emitter + - - + +<br />

-<br />

- -<br />

Kollektor<br />

+ --<br />

- - + +<br />

+ --<br />

- - + +<br />

+ --<br />

- - + +<br />

n,p<br />

IE<br />

nN<br />

ni<br />

pN<br />

−<br />

VBE<br />

+<br />

IB<br />

Basis<br />

−<br />

VCB<br />

n p n<br />

Ladungsträgerinjektion<br />

+<br />

IC<br />

x<br />

Löcherdichte<br />

Elektronendichte<br />

<strong>WS</strong> <strong>2012</strong> Seite 188/381

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