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WS 2012 - Institut für Elektronik

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<strong>Institut</strong> <strong>für</strong> <strong>Elektronik</strong><br />

EST 1<br />

Einführung<br />

Historisches<br />

Bipolartransistor<br />

Betriebsarten<br />

Kennlinien<br />

Ebers Moll Modell<br />

Großsignal-ESB<br />

Kleinsignal-ESB<br />

J-FET<br />

Arbeitsbereiche<br />

Kennlinien<br />

MOS-FET<br />

Arbeitsbereiche<br />

Kennlinien<br />

Einführung<br />

Historischer Überblick<br />

1925 – Julius Edgar Lilienfeld, Vorrichtung zum Steuern<br />

von elektrischem Strom (Patent)<br />

1934 – Oskar Heil, Konstruktion eines mit heutigen FETs<br />

vergleichbaren Transistors<br />

1945 – erste funktionsfähige Feldeffekttransistoren<br />

Europa – Herbert F. Mataré, Heinrich Welker<br />

Amerika – William Shockley, Walter Brattain<br />

1947 – William Schockley, John Bardeen, Walter Brattain,<br />

Entdeckung des Transistoreffektes bei Messungen an<br />

einer Spitzendiode<br />

1950 – Beginn der Forschung an Planartransistoren<br />

1951 – Serienfertigung von Spitzentransistoren<br />

1956 – Nobelpreis <strong>für</strong> Physik <strong>für</strong> den Transistoreffekt<br />

1986 – Einstellung der Neuentwicklung von<br />

TTL-Logik-Bausteinen ⇒ Logik mit FETs<br />

<strong>WS</strong> <strong>2012</strong> Seite 185/381

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