WS 2012 - Institut für Elektronik
WS 2012 - Institut für Elektronik WS 2012 - Institut für Elektronik
Institut für Elektronik EST 1 Einführung Historisches Bipolartransistor Betriebsarten Kennlinien Ebers Moll Modell Großsignal-ESB Kleinsignal-ESB J-FET Arbeitsbereiche Kennlinien MOS-FET Arbeitsbereiche Kennlinien bipolare Transistoren B NPN C E Einführung Schaltzeichen der verschiedenen Transistoren PNP Transistortypen Sperrschicht FET N-Kanal D G S P-Kanal Base – Emitter – Collector Gate – Source – Drain Feldeffekttransistoren Anreicherung G D S N-Kanal Verarmung MOSFET P-Kanal Anreicherung Verarmung WS 2012 Seite 184/381
Institut für Elektronik EST 1 Einführung Historisches Bipolartransistor Betriebsarten Kennlinien Ebers Moll Modell Großsignal-ESB Kleinsignal-ESB J-FET Arbeitsbereiche Kennlinien MOS-FET Arbeitsbereiche Kennlinien Einführung Historischer Überblick 1925 – Julius Edgar Lilienfeld, Vorrichtung zum Steuern von elektrischem Strom (Patent) 1934 – Oskar Heil, Konstruktion eines mit heutigen FETs vergleichbaren Transistors 1945 – erste funktionsfähige Feldeffekttransistoren Europa – Herbert F. Mataré, Heinrich Welker Amerika – William Shockley, Walter Brattain 1947 – William Schockley, John Bardeen, Walter Brattain, Entdeckung des Transistoreffektes bei Messungen an einer Spitzendiode 1950 – Beginn der Forschung an Planartransistoren 1951 – Serienfertigung von Spitzentransistoren 1956 – Nobelpreis für Physik für den Transistoreffekt 1986 – Einstellung der Neuentwicklung von TTL-Logik-Bausteinen ⇒ Logik mit FETs WS 2012 Seite 185/381
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EST 1<br />
Einführung<br />
Historisches<br />
Bipolartransistor<br />
Betriebsarten<br />
Kennlinien<br />
Ebers Moll Modell<br />
Großsignal-ESB<br />
Kleinsignal-ESB<br />
J-FET<br />
Arbeitsbereiche<br />
Kennlinien<br />
MOS-FET<br />
Arbeitsbereiche<br />
Kennlinien<br />
bipolare Transistoren<br />
B<br />
NPN<br />
C<br />
E<br />
Einführung<br />
Schaltzeichen der verschiedenen<br />
Transistoren<br />
PNP<br />
Transistortypen<br />
Sperrschicht FET<br />
N-Kanal<br />
D<br />
G<br />
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Base – Emitter – Collector<br />
Gate – Source – Drain<br />
Feldeffekttransistoren<br />
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G<br />
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MOSFET<br />
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Anreicherung Verarmung<br />
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