WS 2012 - Institut für Elektronik
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<strong>Institut</strong> <strong>für</strong> <strong>Elektronik</strong><br />

EST 1<br />

Siliziumdiode<br />

Diodenarten<br />

Schaltdioden<br />

Z-Dioden<br />

Kapazitätsdioden<br />

Leuchtdioden<br />

Fotodioden<br />

Schaltungsbeispiele<br />

Historisches<br />

Transformator<br />

Gleichrichter<br />

Kondensatoren<br />

PFC<br />

Kleinstnetzgeräte<br />

Vervielfacher<br />

Siliziumdiode<br />

Kleinsignalbeschreibung einer Diode<br />

I = Is · e<br />

V<br />

mVT<br />

g = dI 1<br />

= Is · e<br />

dV m · VT<br />

V<br />

mVT =<br />

Differentieller Widerstand einer Siliziumdiode<br />

r =<br />

m · VT<br />

I<br />

= 25,5 mV<br />

1 mA<br />

I<br />

m · VT<br />

= 25,5 Ω<br />

<strong>WS</strong> <strong>2012</strong> Seite 137/381

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