WS 2012 - Institut für Elektronik
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<strong>Institut</strong> <strong>für</strong> <strong>Elektronik</strong><br />

EST 1<br />

Einführung<br />

Definitionen<br />

Aufbau<br />

Periodensystem<br />

Halbleiterarten<br />

Modelle<br />

Eigenleitung<br />

Störstellenleitung<br />

pn-Übergang<br />

ohne Spannung<br />

Sperrrichtung<br />

Flussrichtung<br />

Durchbruch<br />

Lawineneffekt<br />

pn-Übergang<br />

Durchbruchsmechanismen<br />

Durchbrüche über 5,7 V laufen nach dem Lawineneffekt ab.<br />

Durch die angelegte äußere Spannung werden Minoritätsträger<br />

so stark beschleunigt, dass es zu einer Stoßionisation mit<br />

einem lawinenartigen Anwachsen der Anzahl der freien<br />

Ladungsträger kommt. Die <strong>für</strong> einen Durchbruch notwendige<br />

Spannung nimmt um ≈ 1 mV/K zu.<br />

Zenereffekt<br />

Durchbrüche unter 5,7 V entstehen durch einen<br />

quantenmechanischen Effekt, der bei stark dotierten<br />

Halbleitern auftritt. Eine Erhöhung der Temperatur unterstützt<br />

diesen Prozess, der Zener-Durchbruch zeigt einen negativen<br />

Temperaturkoeffizienten von ≈−0,5 mV/K.<br />

<strong>WS</strong> <strong>2012</strong> Seite 132/381

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