WS 2012 - Institut für Elektronik
WS 2012 - Institut für Elektronik WS 2012 - Institut für Elektronik
Institut für Elektronik EST 1 Einführung Definitionen Aufbau Periodensystem Halbleiterarten Modelle Eigenleitung Störstellenleitung pn-Übergang ohne Spannung Sperrrichtung Flussrichtung Durchbruch pn-Übergang Bändermodell eines pn-Überganges ohne äußere Spannung WF W Leitungsband Valenzband Leitungsband ΔW = q · VD Valenzband n-Gebiet RLZ p-Gebiet WS 2012 Seite 128/381 x
Institut für Elektronik EST 1 Einführung Definitionen Aufbau Periodensystem Halbleiterarten Modelle Eigenleitung Störstellenleitung pn-Übergang ohne Spannung Sperrrichtung Flussrichtung Durchbruch Diffusion pn-Übergang Bewegung der Ladungsträger aufgrund eines Dichteunterschiedes in Kombination mit der thermischen Bewegung. Drift Bewegung der Ladungsträger durch die Kraftwirkung eines elektrischen Feldes. Diffusionsspannung VD = k · T q ���� VT ln nA · nD n 2 i WS 2012 Seite 129/381
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<strong>Institut</strong> <strong>für</strong> <strong>Elektronik</strong><br />
EST 1<br />
Einführung<br />
Definitionen<br />
Aufbau<br />
Periodensystem<br />
Halbleiterarten<br />
Modelle<br />
Eigenleitung<br />
Störstellenleitung<br />
pn-Übergang<br />
ohne Spannung<br />
Sperrrichtung<br />
Flussrichtung<br />
Durchbruch<br />
Diffusion<br />
pn-Übergang<br />
Bewegung der Ladungsträger aufgrund eines<br />
Dichteunterschiedes in Kombination mit der thermischen<br />
Bewegung.<br />
Drift<br />
Bewegung der Ladungsträger durch die Kraftwirkung eines<br />
elektrischen Feldes.<br />
Diffusionsspannung<br />
VD =<br />
k · T<br />
q<br />
����<br />
VT<br />
ln nA · nD<br />
n 2<br />
i<br />
<strong>WS</strong> <strong>2012</strong> Seite 129/381
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