WS 2012 - Institut für Elektronik
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<strong>Institut</strong> <strong>für</strong> <strong>Elektronik</strong><br />

EST 1<br />

Einführung<br />

Definitionen<br />

Aufbau<br />

Periodensystem<br />

Halbleiterarten<br />

Modelle<br />

Eigenleitung<br />

Störstellenleitung<br />

pn-Übergang<br />

ohne Spannung<br />

Sperrrichtung<br />

Flussrichtung<br />

Durchbruch<br />

Aufbau<br />

Ladungsträgerdichte als Funktion der Temperatur<br />

Störstellenleitung<br />

n, ni in cm −3<br />

3 × 10 16<br />

2 × 10 16<br />

10 16<br />

0<br />

0 200 400 600 800 T in K<br />

Da die Ladungsträger der Störstellen im Vergleich zu den<br />

Ladungsträgern des undotierten Siliziums überwiegen, spricht<br />

man beim dotierten Halbleiter von Störstellenleitung.<br />

n<br />

ni<br />

<strong>WS</strong> <strong>2012</strong> Seite 125/381

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