WS 2012 - Institut für Elektronik
WS 2012 - Institut für Elektronik WS 2012 - Institut für Elektronik
Institut für Elektronik EST 1 Einführung Definitionen Aufbau Periodensystem Halbleiterarten Modelle Eigenleitung Störstellenleitung pn-Übergang ohne Spannung Sperrrichtung Flussrichtung Durchbruch WL WF W n-Dotierung Majoritätsträger: Elektronen Minoritätsträger: Löcher Leitungsband WD nicht ionisierte ionisierte Störstellen Valenzband n-Dotierung Aufbau WF WV W p-Dotierung Majoritätsträger: Löcher Minoritätsträger: Elektronen Leitungsband Störstellen WA nicht ionisierte ionisierte Valenzband p-Dotierung WS 2012 Seite 124/381
Institut für Elektronik EST 1 Einführung Definitionen Aufbau Periodensystem Halbleiterarten Modelle Eigenleitung Störstellenleitung pn-Übergang ohne Spannung Sperrrichtung Flussrichtung Durchbruch Aufbau Ladungsträgerdichte als Funktion der Temperatur Störstellenleitung n, ni in cm −3 3 × 10 16 2 × 10 16 10 16 0 0 200 400 600 800 T in K Da die Ladungsträger der Störstellen im Vergleich zu den Ladungsträgern des undotierten Siliziums überwiegen, spricht man beim dotierten Halbleiter von Störstellenleitung. n ni WS 2012 Seite 125/381
- Seite 73 und 74: Institut für Elektronik EST 1 Einf
- Seite 75 und 76: Institut für Elektronik EST 1 Einf
- Seite 77 und 78: Institut für Elektronik EST 1 Einf
- Seite 79 und 80: Institut für Elektronik EST 1 Einf
- Seite 81 und 82: Institut für Elektronik EST 1 Einf
- Seite 83 und 84: Institut für Elektronik EST 1 Einf
- Seite 85 und 86: Institut für Elektronik EST 1 Einf
- Seite 87 und 88: Institut für Elektronik EST 1 Einf
- Seite 89 und 90: Institut für Elektronik EST 1 Einf
- Seite 91 und 92: Institut für Elektronik EST 1 Einf
- Seite 93 und 94: Institut für Elektronik EST 1 Einf
- Seite 95 und 96: Institut für Elektronik EST 1 Einf
- Seite 97 und 98: Institut für Elektronik EST 1 Einf
- Seite 99 und 100: Institut für Elektronik EST 1 Einf
- Seite 101 und 102: Institut für Elektronik EST 1 Einf
- Seite 103 und 104: Institut für Elektronik EST 1 Einf
- Seite 105 und 106: Institut für Elektronik EST 1 Einf
- Seite 107 und 108: Institut für Elektronik EST 1 Einf
- Seite 109 und 110: Institut für Elektronik EST 1 Einf
- Seite 111 und 112: Institut für Elektronik EST 1 Einf
- Seite 113 und 114: Institut für Elektronik EST 1 Einf
- Seite 115 und 116: Institut für Elektronik EST 1 Einf
- Seite 117 und 118: Institut für Elektronik EST 1 Einf
- Seite 119 und 120: Institut für Elektronik EST 1 Einf
- Seite 121 und 122: Institut für Elektronik EST 1 Einf
- Seite 123: Institut für Elektronik EST 1 Einf
- Seite 127 und 128: Institut für Elektronik EST 1 Einf
- Seite 129 und 130: Institut für Elektronik EST 1 Einf
- Seite 131 und 132: Institut für Elektronik EST 1 Einf
- Seite 133 und 134: Institut für Elektronik EST 1 Sili
- Seite 135 und 136: Institut für Elektronik EST 1 Sili
- Seite 137 und 138: Institut für Elektronik EST 1 Sili
- Seite 139 und 140: Institut für Elektronik EST 1 Sili
- Seite 141 und 142: Institut für Elektronik EST 1 Sili
- Seite 143 und 144: Institut für Elektronik EST 1 Sili
- Seite 145 und 146: Institut für Elektronik EST 1 Sili
- Seite 147 und 148: Institut für Elektronik EST 1 Sili
- Seite 149 und 150: Institut für Elektronik EST 1 Sili
- Seite 151 und 152: Institut für Elektronik EST 1 Sili
- Seite 153 und 154: Institut für Elektronik EST 1 Sili
- Seite 155 und 156: V in V 6 4 2 0 -2 -4 -6 I in A 8 6
- Seite 157 und 158: Institut für Elektronik EST 1 Sili
- Seite 159 und 160: Institut für Elektronik EST 1 Sili
- Seite 161 und 162: Institut für Elektronik EST 1 Sili
- Seite 163 und 164: Institut für Elektronik EST 1 Sili
- Seite 165 und 166: Institut für Elektronik EST 1 Sili
- Seite 167 und 168: Institut für Elektronik EST 1 Sili
- Seite 169 und 170: Institut für Elektronik EST 1 Sili
- Seite 171 und 172: Institut für Elektronik EST 1 Sili
- Seite 173 und 174: Institut für Elektronik EST 1 Sili
<strong>Institut</strong> <strong>für</strong> <strong>Elektronik</strong><br />
EST 1<br />
Einführung<br />
Definitionen<br />
Aufbau<br />
Periodensystem<br />
Halbleiterarten<br />
Modelle<br />
Eigenleitung<br />
Störstellenleitung<br />
pn-Übergang<br />
ohne Spannung<br />
Sperrrichtung<br />
Flussrichtung<br />
Durchbruch<br />
WL<br />
WF<br />
W<br />
n-Dotierung<br />
Majoritätsträger:<br />
Elektronen<br />
Minoritätsträger:<br />
Löcher<br />
Leitungsband<br />
WD nicht ionisierte ionisierte<br />
Störstellen<br />
Valenzband<br />
n-Dotierung<br />
Aufbau<br />
WF<br />
WV<br />
W<br />
p-Dotierung<br />
Majoritätsträger:<br />
Löcher<br />
Minoritätsträger:<br />
Elektronen<br />
Leitungsband<br />
Störstellen<br />
WA nicht ionisierte ionisierte<br />
Valenzband<br />
p-Dotierung<br />
<strong>WS</strong> <strong>2012</strong> Seite 124/381
Change language