WS 2012 - Institut für Elektronik
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<strong>Institut</strong> <strong>für</strong> <strong>Elektronik</strong><br />

EST 1<br />

Einführung<br />

Definitionen<br />

Aufbau<br />

Periodensystem<br />

Halbleiterarten<br />

Modelle<br />

Eigenleitung<br />

Störstellenleitung<br />

pn-Übergang<br />

ohne Spannung<br />

Sperrrichtung<br />

Flussrichtung<br />

Durchbruch<br />

p-Dotierung<br />

3-wertige Fremdatome<br />

zusätzliche Fehlstellen<br />

Akzeptoren<br />

Si<br />

Si<br />

Si<br />

Si<br />

B<br />

Si<br />

p-Dotierung<br />

Si<br />

Si<br />

Si<br />

Aufbau<br />

n-Dotierung<br />

5-wertige Fremdatome<br />

zusätzliche Elektronen<br />

Donatoren<br />

Si<br />

Si<br />

Si<br />

Si<br />

P<br />

Si<br />

n-Dotierung<br />

<strong>WS</strong> <strong>2012</strong> Seite 123/381<br />

Si<br />

Si<br />

Si

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