WS 2012 - Institut für Elektronik
WS 2012 - Institut für Elektronik WS 2012 - Institut für Elektronik
Institut für Elektronik EST 1 Einführung Definitionen Aufbau Periodensystem Halbleiterarten Modelle Eigenleitung Störstellenleitung pn-Übergang ohne Spannung Sperrrichtung Flussrichtung Durchbruch Aufbau Erhöhung der Leitfähigkeit - Dotierung Anzahl der Si-Atome pro cm 3 : n = NA · m M = NA ρ · V · M = 6·1023 2,33 · 1 · ≈ 5·10 28 22 Atome/cm 3 Dotierung Unter Dotierung versteht man das gezielte Einbringen von Fremdatomen in einen Halbleiter. Durch diese Maßnahme kann die Leitfähigkeit erhöht werden. Starke Dotierung - Schwache Dotierung n auf 10 7 Si-Atome ein Donator schwache n-Dotierung ρ ≈ 5 Ωcm n + auf 10 4 Si-Atome ein Donator starke n-Dotierung ρ ≈ 0,03 Ωcm p auf 10 6 Si-Atome ein Akzeptor schwache p-Dotierung ρ ≈ 2 Ωcm p + auf 10 4 Si-Atome ein Akzeptor starke p-Dotierung ρ ≈ 0,05 Ωcm WS 2012 Seite 122/381
Institut für Elektronik EST 1 Einführung Definitionen Aufbau Periodensystem Halbleiterarten Modelle Eigenleitung Störstellenleitung pn-Übergang ohne Spannung Sperrrichtung Flussrichtung Durchbruch p-Dotierung 3-wertige Fremdatome zusätzliche Fehlstellen Akzeptoren Si Si Si Si B Si p-Dotierung Si Si Si Aufbau n-Dotierung 5-wertige Fremdatome zusätzliche Elektronen Donatoren Si Si Si Si P Si n-Dotierung WS 2012 Seite 123/381 Si Si Si
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<strong>Institut</strong> <strong>für</strong> <strong>Elektronik</strong><br />
EST 1<br />
Einführung<br />
Definitionen<br />
Aufbau<br />
Periodensystem<br />
Halbleiterarten<br />
Modelle<br />
Eigenleitung<br />
Störstellenleitung<br />
pn-Übergang<br />
ohne Spannung<br />
Sperrrichtung<br />
Flussrichtung<br />
Durchbruch<br />
Aufbau<br />
Erhöhung der Leitfähigkeit - Dotierung<br />
Anzahl der Si-Atome pro cm 3 :<br />
n = NA · m<br />
M = NA<br />
ρ · V<br />
·<br />
M = 6·1023 2,33 · 1<br />
· ≈ 5·10<br />
28<br />
22 Atome/cm 3<br />
Dotierung<br />
Unter Dotierung versteht man das gezielte Einbringen von<br />
Fremdatomen in einen Halbleiter. Durch diese Maßnahme<br />
kann die Leitfähigkeit erhöht werden.<br />
Starke Dotierung - Schwache Dotierung<br />
n auf 10 7 Si-Atome ein Donator schwache n-Dotierung ρ ≈ 5 Ωcm<br />
n + auf 10 4 Si-Atome ein Donator starke n-Dotierung ρ ≈ 0,03 Ωcm<br />
p auf 10 6 Si-Atome ein Akzeptor schwache p-Dotierung ρ ≈ 2 Ωcm<br />
p + auf 10 4 Si-Atome ein Akzeptor starke p-Dotierung ρ ≈ 0,05 Ωcm<br />
<strong>WS</strong> <strong>2012</strong> Seite 122/381
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