WS 2012 - Institut für Elektronik
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<strong>Institut</strong> <strong>für</strong> <strong>Elektronik</strong><br />

EST 1<br />

Einführung<br />

Definitionen<br />

Aufbau<br />

Periodensystem<br />

Halbleiterarten<br />

Modelle<br />

Eigenleitung<br />

Störstellenleitung<br />

pn-Übergang<br />

ohne Spannung<br />

Sperrrichtung<br />

Flussrichtung<br />

Durchbruch<br />

Aufbau<br />

Beweglichkeit und intrinsische Ladungsträgerdichte bei<br />

T = 300 K<br />

Material ni μn μp<br />

Silizium 1,02 · 10 10 cm −3 1350 cm 2 /Vs 480 cm 2 /Vs<br />

Germanium 2,33 · 10 13 cm −3 3900 cm 2 /Vs 1900 cm 2 /Vs<br />

Widerstand von reinem Silizium<br />

Wie groß ist der Widerstand eines Siliziumstücks mit 1 cm<br />

Länge und einem Querschnitt von 1 mm2 bei einer Temperatur<br />

von 300 Kelvin?<br />

κ = q · ni(μn + μp) =<br />

= 1,6 · 10 −19 · 1,02 · 10 10 · (1350 + 480) =3 · 10 −6 Ω −1 cm −1<br />

R = l<br />

κ · A =<br />

1<br />

3 · 10 −6 · 0,01 = 33 · 106 Ω<br />

<strong>WS</strong> <strong>2012</strong> Seite 121/381

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