WS 2012 - Institut für Elektronik
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<strong>Institut</strong> <strong>für</strong> <strong>Elektronik</strong><br />

EST 1<br />

Einführung<br />

Definitionen<br />

Aufbau<br />

Periodensystem<br />

Halbleiterarten<br />

Modelle<br />

Eigenleitung<br />

Störstellenleitung<br />

pn-Übergang<br />

ohne Spannung<br />

Sperrrichtung<br />

Flussrichtung<br />

Durchbruch<br />

Eigenleitungsdichte<br />

Aufbau<br />

Eigenleitung<br />

Die Anzahl der freien Ladungsträger pro Volumseinheit wird als<br />

Eigenleitungsdichte ni bezeichnet. Sie hängt von der<br />

Elektronendichte n0 und der Löcherdichte p0 ab.<br />

n 2<br />

i = n0 · p0<br />

Aus der Anzahl der verfügbaren Ladungsträger kann die<br />

spezifische Leitfähigkeit κ des Halbleiters berechnet werden.<br />

κ = q(nμn + pμp)<br />

Für den reinen Halbleiter (Eigenleitung) ist die Löcheranzahl p<br />

immer gleich der Elektronenanzahl n und es gilt:<br />

κ = q · ni(μn + μp) .<br />

<strong>WS</strong> <strong>2012</strong> Seite 120/381

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