WS 2012 - Institut für Elektronik
WS 2012 - Institut für Elektronik WS 2012 - Institut für Elektronik
Institut für Elektronik EST 1 Einführung Definitionen Aufbau Periodensystem Halbleiterarten Modelle Eigenleitung Störstellenleitung pn-Übergang ohne Spannung Sperrrichtung Flussrichtung Durchbruch Aufbau Bändermodelle für Leiter, Halbleiter und Isolator W Leitungsband Valenzband Leiter W Leitungsband Valenzband Halbleiter W Leitungsband Bandabstand Valenzband Isolator WS 2012 Seite 116/381
Institut für Elektronik EST 1 Einführung Definitionen Aufbau Periodensystem Halbleiterarten Modelle Eigenleitung Störstellenleitung pn-Übergang ohne Spannung Sperrrichtung Flussrichtung Durchbruch Aufbau Generation und Rekombination Si Si Si Generation Si Si Si Generation Si Si Si Si Si Si Si Si Si Rekombination Unter Generation versteht man das Aufbrechen von Valenzbindungen durch Energiezufuhr (zB. Licht, Wärme) von außen. Es entsteht ein freies Elektron und eine ortsfeste Fehlstelle (Loch). WS 2012 Seite 117/381 Si Si Si
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<strong>Institut</strong> <strong>für</strong> <strong>Elektronik</strong><br />
EST 1<br />
Einführung<br />
Definitionen<br />
Aufbau<br />
Periodensystem<br />
Halbleiterarten<br />
Modelle<br />
Eigenleitung<br />
Störstellenleitung<br />
pn-Übergang<br />
ohne Spannung<br />
Sperrrichtung<br />
Flussrichtung<br />
Durchbruch<br />
Aufbau<br />
Bändermodelle <strong>für</strong> Leiter, Halbleiter und<br />
Isolator<br />
W<br />
Leitungsband<br />
Valenzband<br />
Leiter<br />
W<br />
Leitungsband<br />
Valenzband<br />
Halbleiter<br />
W<br />
Leitungsband<br />
Bandabstand<br />
Valenzband<br />
Isolator<br />
<strong>WS</strong> <strong>2012</strong> Seite 116/381
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