WS 2012 - Institut für Elektronik
WS 2012 - Institut für Elektronik WS 2012 - Institut für Elektronik
Institut für Elektronik EST 1 Einführung Definitionen Aufbau Periodensystem Halbleiterarten Modelle Eigenleitung Störstellenleitung pn-Übergang ohne Spannung Sperrrichtung Flussrichtung Durchbruch Aufbau Beschreibung mit Modellen Bohr’sches Atommodell Ein Atomkern wird von Elektronen auf diskreten Schalen umkreist, wobei nur die äußerste Schale für die chemischen Eigenschaften des Materials ausschlaggebend ist. Elementhalbleiter besitzen 4 Valenzelektronen → kovalente Bindungen Kristallisation in einem kubisch flächenzentrierten Gitter Bändermodell Jeder Schale im Atommodell kann eine diskrete Energiemenge zugeordnet werden. Im Kristall entstehen durch die Überlagerung so genannte Energiebänder. WS 2012 Seite 114/381
Institut für Elektronik EST 1 Einführung Definitionen Aufbau Periodensystem Halbleiterarten Modelle Eigenleitung Störstellenleitung pn-Übergang ohne Spannung Sperrrichtung Flussrichtung Durchbruch Aufbau Energieniveaus beim Einzelatom und bei einem Halbleiterkristall W Einzelatom Ionisierung Kristallgitter WS 2012 Seite 115/381
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<strong>Institut</strong> <strong>für</strong> <strong>Elektronik</strong><br />
EST 1<br />
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Aufbau<br />
Periodensystem<br />
Halbleiterarten<br />
Modelle<br />
Eigenleitung<br />
Störstellenleitung<br />
pn-Übergang<br />
ohne Spannung<br />
Sperrrichtung<br />
Flussrichtung<br />
Durchbruch<br />
Aufbau<br />
Energieniveaus beim Einzelatom und bei<br />
einem Halbleiterkristall<br />
W<br />
Einzelatom<br />
Ionisierung<br />
Kristallgitter<br />
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