WS 2012 - Institut für Elektronik
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<strong>Institut</strong> <strong>für</strong> <strong>Elektronik</strong><br />

EST 1<br />

Einführung<br />

Definitionen<br />

Aufbau<br />

Periodensystem<br />

Halbleiterarten<br />

Modelle<br />

Eigenleitung<br />

Störstellenleitung<br />

pn-Übergang<br />

ohne Spannung<br />

Sperrrichtung<br />

Flussrichtung<br />

Durchbruch<br />

Aufbau<br />

Beschreibung mit Modellen<br />

Bohr’sches Atommodell<br />

Ein Atomkern wird von Elektronen auf diskreten Schalen<br />

umkreist, wobei nur die äußerste Schale <strong>für</strong> die<br />

chemischen Eigenschaften des Materials<br />

ausschlaggebend ist.<br />

Elementhalbleiter besitzen 4 Valenzelektronen →<br />

kovalente Bindungen<br />

Kristallisation in einem kubisch flächenzentrierten Gitter<br />

Bändermodell<br />

Jeder Schale im Atommodell kann eine diskrete<br />

Energiemenge zugeordnet werden. Im Kristall entstehen<br />

durch die Überlagerung so genannte Energiebänder.<br />

<strong>WS</strong> <strong>2012</strong> Seite 114/381

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