WS 2012 - Institut für Elektronik
WS 2012 - Institut für Elektronik WS 2012 - Institut für Elektronik
Institut für Elektronik EST 1 Einführung Definitionen Aufbau Periodensystem Halbleiterarten Modelle Eigenleitung Störstellenleitung pn-Übergang ohne Spannung Sperrrichtung Flussrichtung Durchbruch Aufbau Halbleitermaterialien im Periodensystem 30 II Zn Zink 48 Cd Cadmium 80 Hg Quecksilber 5 III IV V VI B Bor 13 Al Aluminium 31 Ga Gallium 49 In Indium 81 Ti Thallium 6 C Kohlenstoff 14 Si Silizium 32 Ge Germanium 50 Sn Zinn 82 Pb Blei 7 N Stickstoff 15 P Phosphor 33 As Arsen 51 Sb Antimon 83 Bi Bismut 8 O Sauerstoff 16 S Schwefel 34 Se Selen 52 Te Tellur 84 Po Polonium WS 2012 Seite 112/381
Institut für Elektronik EST 1 Einführung Definitionen Aufbau Periodensystem Halbleiterarten Modelle Eigenleitung Störstellenleitung pn-Übergang ohne Spannung Sperrrichtung Flussrichtung Durchbruch Aufbau Elementhalbleiter ein chemische Element aus der vierten Hauptgruppe Silizium Germanium Verbindungshalbleiter III-V-Halbleiter Galliumarsenid Galliumphosphid Galliumantimonid Indiumarsenid Indiumphosphid II-VI-Halbleiter Cadmiumselenid Cadmiumtellurid Zinksulfid WS 2012 Seite 113/381
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<strong>Institut</strong> <strong>für</strong> <strong>Elektronik</strong><br />
EST 1<br />
Einführung<br />
Definitionen<br />
Aufbau<br />
Periodensystem<br />
Halbleiterarten<br />
Modelle<br />
Eigenleitung<br />
Störstellenleitung<br />
pn-Übergang<br />
ohne Spannung<br />
Sperrrichtung<br />
Flussrichtung<br />
Durchbruch<br />
Aufbau<br />
Elementhalbleiter<br />
ein chemische Element aus der vierten Hauptgruppe<br />
Silizium<br />
Germanium<br />
Verbindungshalbleiter<br />
III-V-Halbleiter<br />
Galliumarsenid<br />
Galliumphosphid<br />
Galliumantimonid<br />
Indiumarsenid<br />
Indiumphosphid<br />
II-VI-Halbleiter<br />
Cadmiumselenid<br />
Cadmiumtellurid<br />
Zinksulfid<br />
<strong>WS</strong> <strong>2012</strong> Seite 113/381
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