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WS 2012 - Institut für Elektronik

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<strong>Institut</strong> <strong>für</strong> <strong>Elektronik</strong><br />

EST 1<br />

Einführung<br />

Definitionen<br />

Aufbau<br />

Periodensystem<br />

Halbleiterarten<br />

Modelle<br />

Eigenleitung<br />

Störstellenleitung<br />

pn-Übergang<br />

ohne Spannung<br />

Sperrrichtung<br />

Flussrichtung<br />

Durchbruch<br />

Einführung<br />

Spezifischer Widerstand ρ - Spezifische<br />

Leitfähigkeit κ<br />

Widerstand eines Materialstückes<br />

R = ρ ·<br />

l l<br />

=<br />

A κ · A<br />

Die spezifische Leitfähigkeit ist proportional zur<br />

Elementarladung q = 1,6 · 10 −19 As, zur Ladungsträgerdichte n<br />

und zur Beweglichkeit der Ladungsträger μ.<br />

Temperaturabhängigkeit<br />

κ = 1/ρ = n · q · μ<br />

n und μ sind Funktionen der Temperatur → ρ = f(T)<br />

ρ(T) =ρ(T0) · (1 + α(T − T0))<br />

<strong>WS</strong> <strong>2012</strong> Seite 110/381

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