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Forschung mit Synchrotronstrahlung in Deutschland 2009 - SNI-Portal

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Abbildung 1 Abbildung 2 Abbildung 3SMART auf Oberflächen geschautBeim SMART-Mikrospektroskop werden durch die Korrekturvon Abbildungsfehlern Auflösungungen im Nanometerbereichrealisiert.Mit Elektronen lassen sich kle<strong>in</strong>ste Strukturen abbilden, dasich Elektronen gemäß der Quantentheorie teilweise wie Wellenverhalten. Die Elektronenmikroskopie liefert e<strong>in</strong>e bis zu3.000-fach bessere Auflösung als die Lichtmikroskopie und lässtsich zudem vielseitiger <strong>mit</strong> anderen Messmethoden komb<strong>in</strong>ieren.Bei der Photoelektronenemissionsmikroskopie werden zurAbbildung ke<strong>in</strong>e Elektronen aus e<strong>in</strong>er externen Elektronenquellegenutzt, sondern Elektronen aus der Probe selbst, die<strong>mit</strong> Hilfe von <strong>Synchrotronstrahlung</strong> aus den Atomen gelöstwerden (<strong>in</strong>nerer Photoeffekt).Da diese Photoelektronen direkt aus den untersuchten Probenkommen, tragen sie wichtige Informationen über chemische,elektronische und magnetische Eigenschaften der Probe,die durch geeignete Verfahren analysiert werden können.In der Elektronenmikroskopie ersetzen magnetische oderelektrostatische L<strong>in</strong>sen die Glasl<strong>in</strong>sen <strong>in</strong> der Lichtmikroskopie.Während aber die Abbildungsfehler der Glasl<strong>in</strong>sen nahezu vollständigu. a. durch Komb<strong>in</strong>ationen konkaver und konvexer L<strong>in</strong>senkorrigiert werden können und die Auflösung nur nochdurch die Wellenlänge des Lichtes begrenzt wird, lassen sichke<strong>in</strong>e konkaven L<strong>in</strong>sen für Elektronen konstruieren. Durch dieVerwendung von Blenden erreichte man bisher e<strong>in</strong>e bestmöglicheAuflösung von rund 10 Nanometern, das ist rund zehnmalschlechter als pr<strong>in</strong>zipiell möglich. Zudem wird die Abbildungdurch das Ausblenden des Großteils des Elektronenstrahlsdeutlich dunkler. Dies erschwert u. a. die Beobachtung von zeitaufgelöstenProzessen oder strahlungsempf<strong>in</strong>dlichen Proben.Beim durch das BMBF geförderten SMART-Projekt gelanges Forschern nun, die L<strong>in</strong>senfehler <strong>mit</strong> Hilfe e<strong>in</strong>es Elektronenspiegelszu korrigieren. Als Folge wird die Auflösung auf wenigeNanometer und gleichzeitig der Akzeptanzw<strong>in</strong>kel desObjektivs verbessert. Dadurch wird die Transmission des Mikroskopsdeutlich erhöht und die Strahlungsbelastung der Probedrastisch erniedrigt.Das SMART-Instrument ist derzeit bei BESSY II an e<strong>in</strong>erHochfluss-Strahlführung <strong>in</strong>stalliert. Die Designparameter, diee<strong>in</strong>e Auflösung von zwei Nanometern anzielen, s<strong>in</strong>d <strong>mit</strong> e<strong>in</strong>ernachgewiesenen Ortsauflösung von 3,1 Nanometern nahezuerreicht. Die anvisierte Auflösung ist ideal geeignet, um Nanostrukturenan Oberflächen <strong>mit</strong>tels Spektromikroskopie zu analysieren.E<strong>in</strong>e der bisherigen Hauptanwendungen des SMART-Projektszielt auf die Untersuchung des Wachstums von organischenDünnschichten auf Metalloberflächen. Auf diese Weiselässt sich während der Schichtherstellung das Wachstum derSchichten als Funktion der Zeit, Temperatur oder Aufdampfrateverfolgen. Die mikroskopische Abbildung erlaubt unter anderem,den E<strong>in</strong>fluss von Oberflächendefekten, atomaren Stufenauf der zu bedampfenden Oberfläche, auf das Wachstumsverhaltenund den E<strong>in</strong>bau großer Moleküle zu studieren.Mit Hilfe des SMART-Mikroskops wurde beispielsweise untersucht,wie sich Stufen auf e<strong>in</strong>er zu bedampfenden Silberoberflächeauf die Ausbildung e<strong>in</strong>er Schicht aus PTCDA-Molekülen auswirkten. PTCDA (3,4,9,10-Perylentetracarbonsäuredianhydrid)wird u. a. für organische Halbleiter-Bauelementeverwendet. Durch geeignete Kristallpräparation lassensich regelmäßig gestufte Silberoberflächen präparieren, auf diedas PTCDA aufgedampft wurde. Die Elektronenspektroskopiemacht dabei e<strong>in</strong>e Verschiebung der elektronischen Niveausdeutlich, durch die auf die (kovalente) Art der B<strong>in</strong>dung zwischenPTCDA und Silber geschlossen werden kann. Bei nicht-gestuftenOberflächen bilden sich langreichweitig geordnete Bereicheaus, d. h. die PTCDA-Moleküle lagern sich periodisch an derGrenzfläche zum Metall an, wobei die Strukturparameter nahedem organischen E<strong>in</strong>kristall liegen.Im Fall der gestuften Silberoberfläche zeigt sich e<strong>in</strong> erstaunlicherEffekt: Aufgrund der starken Kopplung der PTCDA-Moleküle wird <strong>in</strong> der gestuften Oberfläche e<strong>in</strong>e sogenannteFacettierung <strong>in</strong>duziert, d. h. die Atome <strong>in</strong> der Silberunterlage lagernsich großflächig um, so dass die Stufen „wandern“ undsich letztlich unter den Bereichen bef<strong>in</strong>den, <strong>in</strong> denen die Molekülegeordnete Domänen ausbilden. Diese (adsorbat-<strong>in</strong>duzierte)Facettierung ist durch die Absenkung der freien Oberflächenenergiebegründet und konnte <strong>mit</strong> Hilfe des SMART-Mikroskopserstmalig <strong>in</strong> Echtzeit nachgewiesen werden.Abbildung 1:SMART-Spektromikroskopim KomplettaufbauAbbildung 2:Topographie derbedampften Oberfläche(Hellfeld-Darstellung)Abbildung 3:Dunkelfeldbild der Oberfläche.Der Kontrast entsprichtder Facettierungder Oberfläche aufgrundder Umorientierung derSilberunterlage.Siehe auch:H. Marchetto, U. Groh,Th. Schmidt, H. Kuhlenbeck,R. F<strong>in</strong>k, H.-J. Freund,E. Umbach: Influence ofthe substrate morphologyon the organic layer growthof PTCDA on Ag(111), Chem.Phys. 325 (2006) 178.<strong>Synchrotronstrahlung</strong> <strong>2009</strong> 15

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