Referat über MOS-Feldeffekttransistoren - Projektlabor
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<strong>Referat</strong> über <strong>MOS</strong>-<strong>Feldeffekttransistoren</strong>Thomas Weiß 7.06.06Diode: - Besteht aus n- und p- dotierten Bereich- Leitet nur in eine Richtung<strong>MOS</strong>-Kondensator: - Besteht aus n- und p-dotierten Breichen die durch ein Dielektrikumvoneinander getrennt sind- Durch Anlegen einer Spannung, die eine von mehreren Konstantenabhängige Schwellwertspannung überschreitet kann in einem z.B.in einem p-dotierten Material ein negativer Bereich erzeugt werdenÜbersicht der <strong>MOS</strong>FETs:FETJ-FET<strong>MOS</strong>-FETDepletion<strong>MOS</strong>-FETEnhancement<strong>MOS</strong>-FETp-Kanal n-Kanal n-Kanal p-Kanal n-Kanal p-Kanal*<strong>MOS</strong>-FET <strong>Referat</strong>7.06.2006
Übersicht der <strong>MOS</strong>-<strong>Feldeffekttransistoren</strong>n-Kanal<strong>MOS</strong>-FET Typ Anreicherungstyp (selbstsperrend) Verarmungstyp (selbstleitend)I D bei U DS positiv positivU GS (Steuerspannung) positivpositiv/negativSchaltzeichenAnwendung Leistungsverstärker Hochfrequenzverstärker,digitale integrierte Schaltungen<strong>MOS</strong>-FET Typp-KanalAnreicherungstyp (selbstsperrend) Verarmungstyp (selbstleitend)I D bei U DS negativ negativU GS (Steuerspannung) negativSchaltzeichennegativ/positivAnwendung Leistungsverstärker Hochfrequenzverstärker
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