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Optimierung der elektrischen Eigenschaften von lateralen ...

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Kapitel 4 Statisches Verhalten <strong>von</strong> SJ‐LDMOS‐Transistoren 85<br />

_________________________________________________________________________________________________________________<br />

Der thermische Wi<strong>der</strong>stand Rth kann in einem Innenbestandteil, welcher durch die<br />

Wärmeleitfähigkeit κ in Gl. (2.73) berücksichtigt wird, und in einem Außenbestand‐<br />

teil, welcher durch thermischen Oberflächenwi<strong>der</strong>stand λ ‐1 anzugeben ist, aufgeteilt<br />

werden. Seine Größe ist durch die Geometrie und das Material des Transistors<br />

bedingt. Bei Kenntnis <strong>von</strong> Rth (z.B. durch Datenblattangaben) kann man auch den<br />

maximalen Dauer‐Drain‐Gleichstrom IDmax leicht ermitteln:<br />

I<br />

Dmax<br />

=<br />

R<br />

Tjmax −Ta<br />

( T = T ) ⋅R<br />

DS( on) jmax th<br />

(4.26)<br />

Hierin ist RDS(on)(T = Tjmax) <strong>der</strong> Durchlasswi<strong>der</strong>stand bei <strong>der</strong> maximalen Sperrschicht‐<br />

temperatur Tjmax (≈ 150°C). Aus den Gleichungen (4.25) und (4.26) folgt, dass im<br />

Dauerbetrieb sowohl PV als auch IDmax mit wachsen<strong>der</strong> Umgebungstemperatur Ta<br />

vermin<strong>der</strong>t werden. Der Wert für IDmax wird jedoch in <strong>der</strong> Praxis nicht eingehalten,<br />

denn für geringe Drainspannungen ist <strong>der</strong> Drainstrom ID durch den Durchlasswi<strong>der</strong>‐<br />

stand RDS(on) begrenzt, für hohe Drainspannungen entwe<strong>der</strong> durch die maximale<br />

Verlustleistung PV o<strong>der</strong> durch die Durchbruchspannung U(BR)DSS.<br />

Messtechnisch geht ein Gleichstromverfahren aufgrund <strong>der</strong> relativ langen Mess‐<br />

dauer mit erheblicher Verlustleistung einher. Gerade deshalb arbeitet man vorzugs‐<br />

weise mit einem Impulsverfahren, bei dem das Bauelement z.B. mit kurzen rechteck‐<br />

förmigen Gatespannungs‐Impulsen bei konstantem UDS angesteuert wird. Der Im‐<br />

pulsbetrieb verzögert das Ansteigen <strong>der</strong> Sperrschichttemperatur, indem die Wärme‐<br />

kapazität cL des Halbleitermaterials durch die Verlustleistung umgeladen wird, und<br />

verursacht ein periodisches Aufheizen und Abkühlen des Bauelementes. Auf diese<br />

Weise sind höhere Impulsspitzenleistungen 5 realisierbar. Die dynamische SOA be‐<br />

ruht auf einem Impulsbetrieb, somit ist er gemeinhin großflächiger als die statische<br />

SOA. Charakteristisch für zeitverän<strong>der</strong>liche Wärmevorgänge ist die transiente<br />

Wärmeimpedanz Zth. Sie ist ein Maß für das Wärmeableitvermögen bei Einspeisung<br />

einzelner Rechteckimpulsen konstanter Höhe. Ihre Größe ist <strong>von</strong> <strong>der</strong> Impulsdauer tp<br />

abhängig, jedoch stets geringer als <strong>der</strong> thermische Wi<strong>der</strong>stand Rth. Den typischen<br />

Verlauf <strong>von</strong> Zth in Abhängigkeit <strong>von</strong> tp gibt Abb. 4.17 an, aus <strong>der</strong> offensichtlich ist,<br />

dass die transiente Wärmeimpedanz zunächst drastisch mit zunehmen<strong>der</strong> Impuls‐<br />

dauer ansteigt, bevor <strong>der</strong> Anstieg nachlässt. Aus <strong>der</strong> transienten Wärmeimpedanz Zth<br />

bestimmt sich die zulässige Impulsspitzenleistung PV gemäß<br />

T −T<br />

jmax a<br />

V = (4.27)<br />

Zth t p<br />

P<br />

( )<br />

5 Wenn Leistungsbauelemente im Impulsbetrieb arbeiten, spricht man nicht mehr <strong>von</strong><br />

Verlustleistung, son<strong>der</strong>n <strong>von</strong> Impulsspitzenleistung.

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