Optimierung der elektrischen Eigenschaften von lateralen ...

Kapitel 4 Statisches Verhalten von SJ‐LDMOS‐Transistoren 77
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chedurchbruch hierbei bestimmt durch die Spannung, bei der das Ionisationsintegral
gemäß Gl. (2.46) bzw. Gl. (2.47) gleich eins wird. Scheinbar steigt U(BR)DSS nicht in
gleichem Verhältnis wie die erhöhte Temperatur an, was auf das in der Simulation
herangezogene Modell (Chynoweth‐Modell) zur Beschreibung der Temperaturabhän‐
gigkeit von den Stoßionisationskoeffizienten zurückzuführen ist.
Im Gegensatz zum bipolaren Transistor ist beim MOSFET der Lawinendurchbruch
ein reversibler Prozess, das heißt, er hat aufgrund eines positiven Temperaturkoeffi‐
zienten des Widerstandes keinen Wärmedurchbruch bzw. keine dauernde Schädi‐
gung zur Folge, und zwar solange sich keine höheren Ströme und Drain‐Source‐
Spannungen einstellen.
Abbildung 4.10: Durchbruchkennlinien des SJ‐Transistors.
Durchbruchspannung [V]
850
800
750
700
650
600
550
500
450
Gleichförmige SJ
Ungleichförmige SJ
400
-75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175
Temperatur [°C]
Abbildung 4.11: Variation der Durchbruchspannung mit der Temperatur.