Optimierung der elektrischen Eigenschaften von lateralen ...
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Kapitel 4 Statisches Verhalten <strong>von</strong> SJ‐LDMOS‐Transistoren 73<br />
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Da die Sättigungsgeschwindigkeit <strong>der</strong> Elektronen vSat,n im Kanal als konstant ange‐<br />
nommen werden kann, so erfor<strong>der</strong>t hohe Vorwärtssteilheit gfs gemäß Gl. (4.16) einen<br />
'<br />
großen Zellabstand des Transistors b und ein dünnes Gateoxid ( C ox ~ 1/dox). Um den<br />
Betrieb des Transistors im Sättigungsbereich zu sichern, wird gfs in <strong>der</strong> Praxis bei UDS<br />
= 15 V gemessen. Außerdem beruht die in den Datenblättern meister Hersteller an‐<br />
gegebene Vorwärtssteilheit gfs auf <strong>der</strong> Gate‐Source‐Spannung, bei welcher <strong>der</strong> Sätti‐<br />
gungsstrom IDSat gleich halbem Höchstwert des dauernden Draingleichstroms IDmax<br />
ist (siehe Abschn. 4.3). Abb. 4.8 zeigt, dass die Steilheiten bei<strong>der</strong> SJ‐Strukturen zu‐<br />
nächst mit UGS steigen und dann ihr Maximum für UGS ≈ UGS(TH) haben. Mit wachsen‐<br />
<strong>der</strong> Temperatur ist eine Abnahme des Höchstwerts <strong>von</strong> gfs zu erkennen.<br />
(a)<br />
(b)<br />
Abbildung 4.8: Steilheiten mit Temperaturabhängigkeit; (a) Gleichförmige SJ (b)<br />
Ungleichförmige SJ.
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