Optimierung der elektrischen Eigenschaften von lateralen ...

4 STATISCHES VERHALTEN VON SJ‐LDMOS‐TRANSISTOREN ..................... 59
4.1 DURCHLASSVERHALTEN.............................................................................................. 60
4.1.1 Ausgangskennlinienfeld......................................................................................... 60
4.1.2 Durchlasswiderstand ............................................................................................. 65
4.1.3 Transferkennlinie ................................................................................................... 69
4.1.4 Durchlasscharakteristik der Rückwärtsdiode......................................................... 74
4.2 SPERRVERHALTEN ........................................................................................................ 76
4.2.1 Durchbruchkennlinie ............................................................................................. 76
4.2.3 Durchbruchspannung............................................................................................ 78
4.3 SICHERER ARBEITSBEREICH (SAFE OPERATING AREA)............................................. 83
4.4 TRADE‐OFF ZWISCHEN DURCHLASS‐ UND SPERRFÄHIGKEIT................................... 86
4.5 EMPFINDLICHKEIT GEGEN NICHTIDEALE DOTIERUNGSVERHÄLTNISSE .................. 92
4.6 AUSWIRKUNG HEXAGONALER SÄULENANORDNUNGEN ........................................ 104
5 DYNAMISCHES VERHALTEN VON SJ‐LDMOS‐TRANSISTOREN.............. 111
5.1 PARASITÄRE TRANSISTORKAPAZITÄTEN................................................................. 111
5.2 SCHALTVORGANG...................................................................................................... 120
5.2.1 Schaltzeiten bei induktiver Last........................................................................... 120
5.2.2 Schaltzeiten bei ohmscher Last............................................................................. 131
5.3 GATELADUNGS‐CHARAKTERISTIK ........................................................................... 138
5.4 PRÜFUNG DER BETRIEBSFESTIGKEIT......................................................................... 140
5.4.1 Kommutierung der Rückwärtsdiode .................................................................... 140
5.4.2 Avalanchefestigkeit .............................................................................................. 150
6 ZUSAMMENFASSUNG.............................................................................................. 157
ANHANG A QUANTITATIVE ABSCHÄTZUNG DER SILIZIUM‐LIMITS ..... 159
A.1 SILIZIUM‐LIMIT VON LDMOS‐TRANSISTOREN .................................................... 159
A.2 SILIZIUM‐LIMIT VON RESURF‐LDMOS‐TRANSISTOREN................................... 160
A.3 SILIZIUM‐LIMIT VON SUPERJUNCTION‐LDMOS‐TRANSISTOREN ...................... 161
ANHANG B DRAINSTROM IM QUASISÄTTIGUNGSBEREICH..................... 163
ANHANG C ZYLINDRISCHER DURCHBRUCH.................................................... 167
ANHANG D SPRUNGANTWORT DER GATE‐SOURCE‐SPANNUNG ........... 171
LITERATURVERZEICHNIS............................................................................................ 173
NOTATIONSVERZEICHNIS.......................................................................................... 181