Optimierung der elektrischen Eigenschaften von lateralen ...
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4 STATISCHES VERHALTEN VON SJ‐LDMOS‐TRANSISTOREN ..................... 59<br />
4.1 DURCHLASSVERHALTEN.............................................................................................. 60<br />
4.1.1 Ausgangskennlinienfeld......................................................................................... 60<br />
4.1.2 Durchlasswi<strong>der</strong>stand ............................................................................................. 65<br />
4.1.3 Transferkennlinie ................................................................................................... 69<br />
4.1.4 Durchlasscharakteristik <strong>der</strong> Rückwärtsdiode......................................................... 74<br />
4.2 SPERRVERHALTEN ........................................................................................................ 76<br />
4.2.1 Durchbruchkennlinie ............................................................................................. 76<br />
4.2.3 Durchbruchspannung............................................................................................ 78<br />
4.3 SICHERER ARBEITSBEREICH (SAFE OPERATING AREA)............................................. 83<br />
4.4 TRADE‐OFF ZWISCHEN DURCHLASS‐ UND SPERRFÄHIGKEIT................................... 86<br />
4.5 EMPFINDLICHKEIT GEGEN NICHTIDEALE DOTIERUNGSVERHÄLTNISSE .................. 92<br />
4.6 AUSWIRKUNG HEXAGONALER SÄULENANORDNUNGEN ........................................ 104<br />
5 DYNAMISCHES VERHALTEN VON SJ‐LDMOS‐TRANSISTOREN.............. 111<br />
5.1 PARASITÄRE TRANSISTORKAPAZITÄTEN................................................................. 111<br />
5.2 SCHALTVORGANG...................................................................................................... 120<br />
5.2.1 Schaltzeiten bei induktiver Last........................................................................... 120<br />
5.2.2 Schaltzeiten bei ohmscher Last............................................................................. 131<br />
5.3 GATELADUNGS‐CHARAKTERISTIK ........................................................................... 138<br />
5.4 PRÜFUNG DER BETRIEBSFESTIGKEIT......................................................................... 140<br />
5.4.1 Kommutierung <strong>der</strong> Rückwärtsdiode .................................................................... 140<br />
5.4.2 Avalanchefestigkeit .............................................................................................. 150<br />
6 ZUSAMMENFASSUNG.............................................................................................. 157<br />
ANHANG A QUANTITATIVE ABSCHÄTZUNG DER SILIZIUM‐LIMITS ..... 159<br />
A.1 SILIZIUM‐LIMIT VON LDMOS‐TRANSISTOREN .................................................... 159<br />
A.2 SILIZIUM‐LIMIT VON RESURF‐LDMOS‐TRANSISTOREN................................... 160<br />
A.3 SILIZIUM‐LIMIT VON SUPERJUNCTION‐LDMOS‐TRANSISTOREN ...................... 161<br />
ANHANG B DRAINSTROM IM QUASISÄTTIGUNGSBEREICH..................... 163<br />
ANHANG C ZYLINDRISCHER DURCHBRUCH.................................................... 167<br />
ANHANG D SPRUNGANTWORT DER GATE‐SOURCE‐SPANNUNG ........... 171<br />
LITERATURVERZEICHNIS............................................................................................ 173<br />
NOTATIONSVERZEICHNIS.......................................................................................... 181