Optimierung der elektrischen Eigenschaften von lateralen ...

Kapitel 4 Statisches Verhalten von SJ‐LDMOS‐Transistoren 71
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Kanaldotierung bei. Wenn die beiden SJ‐Strukturen optimiert sind, benötigt die un‐
gleichförmige SJ eine größere Anzahl implantierter Borionen (also die p‐Dosis) als
die gleichförmige SJ, wie im Kapitel 3 gezeigt, deshalb liegt die Kanaldotierung für
den Fall der ungleichförmigen SJ höher als für den Fall der gleichförmigen SJ. Dass
das IDSat der ungleichförmigen SJ kleiner als bei der gleichförmigen SJ ist, ergibt sich
darüber hinaus in Übereinstimmung mit Gl. (4.4). Bei hohen Gatespannungen UGS
weichen die Transferkennlinien von der Geraden ab; scheinbar verliert der
Gateansteuerkreis aufgrund des bei hohem lateralen Feld auftretenden Quasisätti‐
gungseffekts die Kontrolle über den Drainstrom.
(a)
(b)
Abbildung 4.7: Transferkennlinien mit der Temperatur T als Parameter bei UDS =
30V; (a) Gleichförmige SJ (b) Ungleichförmige SJ.