Optimierung der elektrischen Eigenschaften von lateralen ...
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Kapitel 4 Statisches Verhalten <strong>von</strong> SJ‐LDMOS‐Transistoren 71<br />
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Kanaldotierung bei. Wenn die beiden SJ‐Strukturen optimiert sind, benötigt die un‐<br />
gleichförmige SJ eine größere Anzahl implantierter Borionen (also die p‐Dosis) als<br />
die gleichförmige SJ, wie im Kapitel 3 gezeigt, deshalb liegt die Kanaldotierung für<br />
den Fall <strong>der</strong> ungleichförmigen SJ höher als für den Fall <strong>der</strong> gleichförmigen SJ. Dass<br />
das IDSat <strong>der</strong> ungleichförmigen SJ kleiner als bei <strong>der</strong> gleichförmigen SJ ist, ergibt sich<br />
darüber hinaus in Übereinstimmung mit Gl. (4.4). Bei hohen Gatespannungen UGS<br />
weichen die Transferkennlinien <strong>von</strong> <strong>der</strong> Geraden ab; scheinbar verliert <strong>der</strong><br />
Gateansteuerkreis aufgrund des bei hohem <strong>lateralen</strong> Feld auftretenden Quasisätti‐<br />
gungseffekts die Kontrolle über den Drainstrom.<br />
(a)<br />
(b)<br />
Abbildung 4.7: Transferkennlinien mit <strong>der</strong> Temperatur T als Parameter bei UDS =<br />
30V; (a) Gleichförmige SJ (b) Ungleichförmige SJ.