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Optimierung der elektrischen Eigenschaften von lateralen ...

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66 Kapitel 4 Statisches Verhalten <strong>von</strong> SJ‐LDMOS‐Transistoren<br />

_________________________________________________________________________________________________________________<br />

gangskennlinien im Quasisättigungsbereich nach Gl. (4.5) für kleine Werte <strong>von</strong> UDS,<br />

weil in diesem Bereich die Driftzone den Wi<strong>der</strong>stand des Bauelements entscheidend<br />

beeinflusst. Dementsprechend bezieht sich bei den untersuchten SJ‐Strukturen die<br />

Angabe <strong>von</strong> RDS(on) stets auf UGS = 10 V und UDS = 1 V.<br />

Für die gleichförmige SJ wird RDS(on)⋅A = 9,45 Ω⋅mm 2 ermittelt, für die ungleichför‐<br />

mige SJ beträgt RDS(on)⋅A = 10,16 Ω⋅mm 2 . Damit besitzt das Bauelement mit ungleich‐<br />

förmiger SJ einen höheren spezifischen Durchlasswi<strong>der</strong>stand als dasjenige mit<br />

gleichförmiger SJ, auch wenn die Driftzonendotierung ND für beide SJ‐Strukturen<br />

gleich hoch ist. Die Ursache hierfür liegt in <strong>der</strong> Säulendotierung NA. Die Säulen <strong>der</strong><br />

ungleichförmigen SJ sind stärker dotiert als diejenigen <strong>der</strong> gleichförmigen SJ. Eine<br />

Erhöhung <strong>der</strong> Säulendotierung vergrößert allerdings den Säulenradius, was wie‐<br />

<strong>der</strong>um die effektive Durchtrittsfläche des Elektronenstromes reduziert. Deshalb<br />

weist die ungleichförmige SJ eine niedrigere Stromverfügbarkeit auf. In Abb. 4.3 und<br />

4.4 wird <strong>der</strong> Elektronenstrom in beiden SJ‐Strukturen durch Stromlinien anschaulich<br />

gemacht. Diese technischen Stromlinien fließen <strong>von</strong> Drain nach Source, sie verengen<br />

sich aber stärker im Sourcegebiet als im Draingebiet. Daraus wird ersichtlich, dass<br />

sich Elektronen mit einer höheren Driftgeschwindigkeit vom Kanalende bewegen,<br />

bevor sie infolge des Wi<strong>der</strong>standes <strong>der</strong> Drain‐Source‐Strecke RDS mit langsamer Ge‐<br />

schwindigkeit zum Draingebiet gelangen. Im Source‐ und Draingebiet erfolgt <strong>der</strong><br />

Stromfluss primär vertikal, im dazwischenliegenden Bereich dagegen horizontal. Die<br />

Stromverteilung ist aufgrund örtlicher Schwankungen <strong>der</strong> Wi<strong>der</strong>stände stark inho‐<br />

mogen.<br />

(a)<br />

(b)<br />

Abbildung 4.8: Oberflächennahe Stromflusslinien bei UGS = 10 V, UDS = 1V (nicht<br />

maßstabgerecht); (a) Gleichförmige SJ (b) Ungleichförmige SJ.

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