Optimierung der elektrischen Eigenschaften von lateralen ...
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Kapitel 4<br />
Statisches Verhalten <strong>von</strong> SJ‐<br />
LDMOS‐Transistoren<br />
Für viele Anwendungen des SJ‐Transistors ist die Abhängigkeit <strong>der</strong> einzelnen<br />
Größen (wie z.B. Ströme und Spannungen) in Form <strong>von</strong> Kennlinienfel<strong>der</strong>n für den<br />
zeitunabhängigen Fall <strong>von</strong> großer Bedeutung. Diesen charakteristischen Funktions‐<br />
zusammenhang fasst man unter dem Begriff Statisches Verhalten bzw. Gleichstrom‐<br />
verhalten zusammen [Pau92]. Typisch für Kennlinienfel<strong>der</strong> sind Eingangs‐, Aus‐<br />
gangs‐ und Steuerkennlinienfel<strong>der</strong>. Durch Kennliniendarstellungen lassen sich<br />
sämtliche Kenn‐ und Grenzwerte extrahieren und Arbeitspunkte bestimmen, welche<br />
charakteristische <strong>Eigenschaften</strong> <strong>der</strong> Bauelemente rechtfertigen. Wichtigste statische<br />
Größe für Leistungstransistoren im leitenden Zustand ist <strong>der</strong> Durchlasswi<strong>der</strong>stand,<br />
im nichtleitenden Zustand die Durchbruchspannung. Mit wachsen<strong>der</strong> Durchbruch‐<br />
spannung steigt allerdings <strong>der</strong> Durchlasswi<strong>der</strong>stand mehr als quadratisch an.<br />
Primäres Ziel bei <strong>der</strong> Entwicklung <strong>von</strong> Leistungsbauelementen ist gerade deshalb die<br />
<strong>Optimierung</strong> des Durchlasswi<strong>der</strong>standes bei gleichzeitig hohem Sperrvermögen.
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